Type-I InAs quantum dots covered by GaAsSb strain reducing layer

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00439648" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00439648 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2061749" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2061749</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2061749" target="_blank" >10.1117/12.2061749</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Type-I InAs quantum dots covered by GaAsSb strain reducing layer

Popis výsledku v původním jazyce

This work is focused on examining ultrafast photoluminescent properties of InAs QDs grown on GaAs substrate and covered by GaAs1-xSbx SRL. The aim is to understand the processes occurring inside the QDs and wetting layer and how the SRL influences the energy levels inside the QDs. Using upconversion method we measured luminescence dynamics of two samples with different concentration of Sb in the SRL with sub-picosecond time resolution. We investigated the effect of temperature, as well as the intensityand wavelength of the excitation pulse. We consequently derived recombination and relaxation processes occurring inside InAs QDs and also proved that the transport of charge carriers from the substrate and from the WL into the QDs is efficient.

Název v anglickém jazyce

Type-I InAs quantum dots covered by GaAsSb strain reducing layer

Popis výsledku anglicky

This work is focused on examining ultrafast photoluminescent properties of InAs QDs grown on GaAs substrate and covered by GaAs1-xSbx SRL. The aim is to understand the processes occurring inside the QDs and wetting layer and how the SRL influences the energy levels inside the QDs. Using upconversion method we measured luminescence dynamics of two samples with different concentration of Sb in the SRL with sub-picosecond time resolution. We investigated the effect of temperature, as well as the intensityand wavelength of the excitation pulse. We consequently derived recombination and relaxation processes occurring inside InAs QDs and also proved that the transport of charge carriers from the substrate and from the WL into the QDs is efficient.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Nanophotonic Materials XI

ISBN

978-1-62841-188-1

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

916113

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham

Místo konání akce

San Diego, CA

Datum konání akce

20. 8. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000344107800015