M/SI-GaAs/M diode: Role of the metal contact in electrical transport, ?-particle and photon detection
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00439987" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00439987 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2014.6998643" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2014.6998643</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2014.6998643" target="_blank" >10.1109/ASDAM.2014.6998643</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
M/SI-GaAs/M diode: Role of the metal contact in electrical transport, ?-particle and photon detection
Popis výsledku v původním jazyce
Current-voltage measurements as well as ?-particle and photon detection were utilized to an investigation of a novel low work function Mg-metallization in semi-insulating (SI) GaAs. An anomalous decrease of the reverse current has been observed with suchcontact in comparison with the high work function, Pt Schottky barrier. Possible explanation relates likely to the creation of quasi-degenerate region, containing accumulated electrons, at the Mg/SI-GaAs interface.
Název v anglickém jazyce
M/SI-GaAs/M diode: Role of the metal contact in electrical transport, ?-particle and photon detection
Popis výsledku anglicky
Current-voltage measurements as well as ?-particle and photon detection were utilized to an investigation of a novel low work function Mg-metallization in semi-insulating (SI) GaAs. An anomalous decrease of the reverse current has been observed with suchcontact in comparison with the high work function, Pt Schottky barrier. Possible explanation relates likely to the creation of quasi-degenerate region, containing accumulated electrons, at the Mg/SI-GaAs interface.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
978-1-4799-5474-2
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
49-52
Název nakladatele
Slovak University of Technology
Místo vydání
Bratislava
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
20. 10. 2014
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—