The optical spectra of a-Si:H and a-SiC:H thin films measured by the absolute photothermal deflection spectroscopy (PDS)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00440200" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00440200 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.213.19" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.213.19</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.213.19" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/SSP.213.19</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

The optical spectra of a-Si:H and a-SiC:H thin films measured by the absolute photothermal deflection spectroscopy (PDS)

Popis výsledku v původním jazyce

The new absolute PDS setup allows to measure simultaneously the absolute values of the optical transmittance T, reflectance R and absorptance A spectra in the spectral range 280 - 2000 nm with the typical spectral resolution 10 nm in ultraviolet and visible spectral range and 20 nm in the near infrared region. The PDS setup provides the dynamic detection range in the optical absorptance up to 4 orders of magnitude using non-toxic liquid perfluorohexane Fluorinert FC72. Here we demonstrate the usabilityof this setup on a series of intrinsic as well as doped a-Si:H and a-SiC:H thin films deposited on glass substrates by RF CVD from hydrogen, silane and methane under various conditions. The increase of the Tauc gap with increasing carbon concentration inintrinsic a-SiC:H was observed. The defect-induced localized states in the energy gap were observed in doped a-Si:H as well as undoped a-SiC:H below the Urbach absorption edge.

Název v anglickém jazyce

The optical spectra of a-Si:H and a-SiC:H thin films measured by the absolute photothermal deflection spectroscopy (PDS)

Popis výsledku anglicky

The new absolute PDS setup allows to measure simultaneously the absolute values of the optical transmittance T, reflectance R and absorptance A spectra in the spectral range 280 - 2000 nm with the typical spectral resolution 10 nm in ultraviolet and visible spectral range and 20 nm in the near infrared region. The PDS setup provides the dynamic detection range in the optical absorptance up to 4 orders of magnitude using non-toxic liquid perfluorohexane Fluorinert FC72. Here we demonstrate the usabilityof this setup on a series of intrinsic as well as doped a-Si:H and a-SiC:H thin films deposited on glass substrates by RF CVD from hydrogen, silane and methane under various conditions. The increase of the Tauc gap with increasing carbon concentration inintrinsic a-SiC:H was observed. The defect-induced localized states in the energy gap were observed in doped a-Si:H as well as undoped a-SiC:H below the Urbach absorption edge.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Solid State Phenomena

ISBN

978-3-03785-970-4

ISSN

1662-9779

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

19-28

Název nakladatele

Trans Tech Publications Ltd

Místo vydání

Zürich

Místo konání akce

Vladivostok

Datum konání akce

20. 8. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—