Cz grown 2-in. size Ce:Gd3(Al,Ga)5O12 single crystal; relationship between Al, Ga site occupancy and scintillation properties

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00456552" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00456552 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2014.04.001" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2014.04.001</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2014.04.001" target="_blank" >10.1016/j.optmat.2014.04.001</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Cz grown 2-in. size Ce:Gd3(Al,Ga)5O12 single crystal; relationship between Al, Ga site occupancy and scintillation properties

Popis výsledku v původním jazyce

2-in. size Ce 1%:Gd3(Al1xGax)5O12 (GAGG) single crystals with various Ga concentration of x = 2, 2.4, 2.7 and 3 were grown by the Czochralski (Cz) method. Light yield has maximum value of 58,000 photon/MeV at x = 2.7 Ga concentration. Energy resolution was improved with decreasing Ga concentration and x = 2.4 sample showed best energy resolution of 4.2%@662 keV. The dependence of scintillation properties on crystal structure and Al?Ga was discussed.n

Název v anglickém jazyce

Cz grown 2-in. size Ce:Gd3(Al,Ga)5O12 single crystal; relationship between Al, Ga site occupancy and scintillation properties

Popis výsledku anglicky

2-in. size Ce 1%:Gd3(Al1xGax)5O12 (GAGG) single crystals with various Ga concentration of x = 2, 2.4, 2.7 and 3 were grown by the Czochralski (Cz) method. Light yield has maximum value of 58,000 photon/MeV at x = 2.7 Ga concentration. Energy resolution was improved with decreasing Ga concentration and x = 2.4 sample showed best energy resolution of 4.2%@662 keV. The dependence of scintillation properties on crystal structure and Al?Ga was discussed.n

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Optical Materials

ISSN

0925-3467

e-ISSN

—

Svazek periodika

36

Číslo periodika v rámci svazku

12

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1942-1945

Kód UT WoS článku

000342548500006

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84899469962