Effect of Ga content on luminescence and defects formation processes in Gd3(Ga,Al)5O12:Ce single crystals

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00501249" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00501249 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2017.10.054" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2017.10.054</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2017.10.054" target="_blank" >10.1016/j.optmat.2017.10.054</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effect of Ga content on luminescence and defects formation processes in Gd3(Ga,Al)5O12:Ce single crystals

Popis výsledku v původním jazyce

Luminescence characteristics of Ce3þ - doped Gd3GaxAl5-xO12 single crystals with different Ga contents(x = 1, 2, 3, 4, 5) are studied in the 9-500 K temperature range. The spectra of the afterglow, photoluminescence,radioluminescence, and thermally stimulated luminescence (TSL) of each crystal coincide. The increase of the Ga content results in the high-energy shift of the spectra while the radioluminescence intensity at 9 K remains practically constant up to x = 4. No Ce3+ emission is observed in case of x = 5. The total TSL intensity drastically increases, reaches the maximum value around x = 2-3, and then decreases due to the thermal quenching of the Ce3+ emission. The TSL glow curve maxima are gradually shifting to lower temperatures, and the dependence of the maxima positions and the corresponding trap depths on the Ga content is close to linear.

Název v anglickém jazyce

Effect of Ga content on luminescence and defects formation processes in Gd3(Ga,Al)5O12:Ce single crystals

Popis výsledku anglicky

Luminescence characteristics of Ce3þ - doped Gd3GaxAl5-xO12 single crystals with different Ga contents(x = 1, 2, 3, 4, 5) are studied in the 9-500 K temperature range. The spectra of the afterglow, photoluminescence,radioluminescence, and thermally stimulated luminescence (TSL) of each crystal coincide. The increase of the Ga content results in the high-energy shift of the spectra while the radioluminescence intensity at 9 K remains practically constant up to x = 4. No Ce3+ emission is observed in case of x = 5. The total TSL intensity drastically increases, reaches the maximum value around x = 2-3, and then decreases due to the thermal quenching of the Ce3+ emission. The TSL glow curve maxima are gradually shifting to lower temperatures, and the dependence of the maxima positions and the corresponding trap depths on the Ga content is close to linear.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/GA16-15569S" target="_blank" >GA16-15569S: Rychlé tenkovrstvé scintilátory pro 2D-zobrazování s vysokým rozlišením</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Optical Materials

ISSN

0925-3467

e-ISSN

—

Svazek periodika

75

Číslo periodika v rámci svazku

Jan

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

331-336

Kód UT WoS článku

000423890300047

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85032827047