An experimental-theoretical atomic-scale study–In situ analysis of III-Von Si(100) growth for hybrid solar cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00485615" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00485615 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2014.6925510" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2014.6925510</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2014.6925510" target="_blank" >10.1109/PVSC.2014.6925510</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

An experimental-theoretical atomic-scale study–In situ analysis of III-Von Si(100) growth for hybrid solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

We consider GaP/Si(100) as quasi-substrate for III-V-on-silicon growth targeting solar energy exploration in dualnjunction devices for both photovoltaics as well as photoelectrochemical tandem diodes with optimum bandgaps.nWe prepare Si(100) surfaces with majority domains of either type, grow thin GaP layers free of anti-phase disorder, find that abrupt Si-P interfaces are favored over abrupt Si-Ga interfaces and, finally, observe an RAS signal attributed to N incorporation in GaPN/Si(100). Combining in situ reflection anisotropy spectroscopy during metalorganic vapor phase epitaxy with UHV-based surface techniques and ab initio DFT calculations, we aim to understand the interface formation at the atomic scale.n

Název v anglickém jazyce

An experimental-theoretical atomic-scale study–In situ analysis of III-Von Si(100) growth for hybrid solar cells

Popis výsledku anglicky

We consider GaP/Si(100) as quasi-substrate for III-V-on-silicon growth targeting solar energy exploration in dualnjunction devices for both photovoltaics as well as photoelectrochemical tandem diodes with optimum bandgaps.nWe prepare Si(100) surfaces with majority domains of either type, grow thin GaP layers free of anti-phase disorder, find that abrupt Si-P interfaces are favored over abrupt Si-Ga interfaces and, finally, observe an RAS signal attributed to N incorporation in GaPN/Si(100). Combining in situ reflection anisotropy spectroscopy during metalorganic vapor phase epitaxy with UHV-based surface techniques and ab initio DFT calculations, we aim to understand the interface formation at the atomic scale.n

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC) /40./

ISBN

978-1-4799-4398-2

ISSN

0160-8371

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

2797-2799

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Denver

Datum konání akce

8. 6. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000366638903010