Atomic scale analysis of the GaP/Si(100) heterointerface by in situ reflection anisotropy spectroscopy and ab initio density functional theory

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00440096" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00440096 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.235301" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.235301</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.235301" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.90.235301</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Atomic scale analysis of the GaP/Si(100) heterointerface by in situ reflection anisotropy spectroscopy and ab initio density functional theory

Popis výsledku v původním jazyce

Energetically and kinetically driven Si(100) step formations result in majority domains of monohydride-terminated Si dimers oriented either parallel or perpendicular to the step edges. Here, the intentional variation of the Si(100) surface reconstructioncontrols the sublattice orientation of the heteroepitaxial GaP film, as observed by in situ reflection anisotropy spectroscopy (RAS) in chemical vapor ambient. Ab initio density functional calculations of both abrupt and compensated interfaces are carried out. The energetically most favorable interface is compensated with an intermixed interfacial layer. In situ RAS reveals that the GaP sublattice orientation depends on the P chemical potential during nucleation, which agrees with a kinetically limitedformation of abrupt interfaces.

Název v anglickém jazyce

Atomic scale analysis of the GaP/Si(100) heterointerface by in situ reflection anisotropy spectroscopy and ab initio density functional theory

Popis výsledku anglicky

Energetically and kinetically driven Si(100) step formations result in majority domains of monohydride-terminated Si dimers oriented either parallel or perpendicular to the step edges. Here, the intentional variation of the Si(100) surface reconstructioncontrols the sublattice orientation of the heteroepitaxial GaP film, as observed by in situ reflection anisotropy spectroscopy (RAS) in chemical vapor ambient. Ab initio density functional calculations of both abrupt and compensated interfaces are carried out. The energetically most favorable interface is compensated with an intermixed interfacial layer. In situ RAS reveals that the GaP sublattice orientation depends on the P chemical potential during nucleation, which agrees with a kinetically limitedformation of abrupt interfaces.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review. B

ISSN

1098-0121

e-ISSN

—

Svazek periodika

90

Číslo periodika v rámci svazku

23

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

"235301-1"-"235301-7"

Kód UT WoS článku

000346390100006

EID výsledku v databázi Scopus

—