Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00471296" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00471296 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE

  • Popis výsledku v původním jazyce

    It was demonstrated how time-resolved RAS measurements enable to in situ monitor the GaP nucleation on Si. The GaP sublattice can be inverted by a 'rotation' of the Si dimers prior nucleation or more Ga-rich growth conditions. The impact of As on Si surface as well as GaP nucleation on top of this surface were investigated.

  • Název v anglickém jazyce

    GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE

  • Popis výsledku anglicky

    It was demonstrated how time-resolved RAS measurements enable to in situ monitor the GaP nucleation on Si. The GaP sublattice can be inverted by a 'rotation' of the Si dimers prior nucleation or more Ga-rich growth conditions. The impact of As on Si surface as well as GaP nucleation on top of this surface were investigated.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů