Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00448214" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00448214 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21460/15:00237817

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2015.01.006" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2015.01.006</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2015.01.006" target="_blank" >10.1016/j.diamond.2015.01.006</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates

Popis výsledku v původním jazyce

Boron doped diamond layers have been grown on (110) single crystal diamond substrates with B/C ratios up to 20 ppmin the gas phase. The surface of the diamond layers observed by scanning electronmicroscopy consists of(100) and (113)micro-facets. Fourier Transform Photocurrent Spectroscopy indicates substitutional boron incorporation. Electrical properties were measured using Hall effect from 150 to 1000 K. Secondary ion mass spectrometry analyses are consistent with the high incorporation of boron determined by electrical measurements. Amaximummobility of 528 cm2 V1 s1 wasmeasured at roomtemperature for a charge carrier concentration of 1.1 1013 cm3. Finally, properties of boron doped (110) diamond layers are compared with layers on (100) and (111) orientated substrates.

Název v anglickém jazyce

Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates

Popis výsledku anglicky

Boron doped diamond layers have been grown on (110) single crystal diamond substrates with B/C ratios up to 20 ppmin the gas phase. The surface of the diamond layers observed by scanning electronmicroscopy consists of(100) and (113)micro-facets. Fourier Transform Photocurrent Spectroscopy indicates substitutional boron incorporation. Electrical properties were measured using Hall effect from 150 to 1000 K. Secondary ion mass spectrometry analyses are consistent with the high incorporation of boron determined by electrical measurements. Amaximummobility of 528 cm2 V1 s1 wasmeasured at roomtemperature for a charge carrier concentration of 1.1 1013 cm3. Finally, properties of boron doped (110) diamond layers are compared with layers on (100) and (111) orientated substrates.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Diamond and Related Materials

ISSN

0925-9635

e-ISSN

—

Svazek periodika

35

Číslo periodika v rámci svazku

Mar

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

29-34

Kód UT WoS článku

000352046700005

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84921984756