Effect of substrate crystalline orientation on boron-doped homoepitaxial diamond growth

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00556262" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00556262 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21230/22:00357708 RIV/68407700:21460/22:00357708

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108887" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108887</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108887" target="_blank" >10.1016/j.diamond.2022.108887</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effect of substrate crystalline orientation on boron-doped homoepitaxial diamond growth

Popis výsledku v původním jazyce

Boron-doped diamond layers have been grown by MW PECVD on substrates with a misorientation over the range of 0 to 90° relative to the (100) crystalline plane while keeping all other growth conditions constant. Deposited layers were characterized by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and Raman spectroscopy. The deposition rate, surface roughness, and boron incorporation vary according to the substrate misorientation. These results show the essential need for rigorous control of the substrate crystalline orientation in the synthesis of doped diamond for electronic applications. Thick, smooth, and free of surface defects boron-doped epitaxial diamond layers were obtained over a broad range of crystalline orientations at high growth rates and high boron incorporation efficiency.

Název v anglickém jazyce

Effect of substrate crystalline orientation on boron-doped homoepitaxial diamond growth

Popis výsledku anglicky

Boron-doped diamond layers have been grown by MW PECVD on substrates with a misorientation over the range of 0 to 90° relative to the (100) crystalline plane while keeping all other growth conditions constant. Deposited layers were characterized by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and Raman spectroscopy. The deposition rate, surface roughness, and boron incorporation vary according to the substrate misorientation. These results show the essential need for rigorous control of the substrate crystalline orientation in the synthesis of doped diamond for electronic applications. Thick, smooth, and free of surface defects boron-doped epitaxial diamond layers were obtained over a broad range of crystalline orientations at high growth rates and high boron incorporation efficiency.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Diamond and Related Materials

ISSN

0925-9635

e-ISSN

1879-0062

Svazek periodika

122

Číslo periodika v rámci svazku

Feb

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

108887

Kód UT WoS článku

000791837700009

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85124102278