Effect of the substrate crystalline orientation on the surface morphology and boron incorporation into epitaxial diamond layers

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00551983" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00551983 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21460/21:00350959 RIV/68407700:21230/21:00350959

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2020.3683" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2020.3683</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2020.3683" target="_blank" >10.37904/nanocon.2020.3683</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effect of the substrate crystalline orientation on the surface morphology and boron incorporation into epitaxial diamond layers

Popis výsledku v původním jazyce

Epitaxial growth of diamond is critically important for the fabrication of diamond-based electronic devices. The emerging study of the epitaxial diamond growth on the (113) vicinal surfaces evidences highly needed high growth rates and low structural defects concentrations with both p- and n-type doping. In this work, we compare the morphology and dopant concentration incorporation of heavily boron-doped (113) epitaxial diamond layers with conventionally studied (100) and (111) epitaxial layers. Epitaxial layers were grown using resonance cavity Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (MWPECVD) system. The surface morphology of epitaxial layers was studied by optical microscopy and atomic force microscopy, whereas the boron incorporation homogeneity was determined by Raman spectroscopy mapping.

Název v anglickém jazyce

Effect of the substrate crystalline orientation on the surface morphology and boron incorporation into epitaxial diamond layers

Popis výsledku anglicky

Epitaxial growth of diamond is critically important for the fabrication of diamond-based electronic devices. The emerging study of the epitaxial diamond growth on the (113) vicinal surfaces evidences highly needed high growth rates and low structural defects concentrations with both p- and n-type doping. In this work, we compare the morphology and dopant concentration incorporation of heavily boron-doped (113) epitaxial diamond layers with conventionally studied (100) and (111) epitaxial layers. Epitaxial layers were grown using resonance cavity Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (MWPECVD) system. The surface morphology of epitaxial layers was studied by optical microscopy and atomic force microscopy, whereas the boron incorporation homogeneity was determined by Raman spectroscopy mapping.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20506 - Coating and films

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2021

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

NANOCON 2020. 12th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings

ISBN

978-80-87294-98-7

ISSN

2694-930X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

98-102

Název nakladatele

TANGER

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

21. 10. 2020

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000664505500016