Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00541744" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00541744 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21460/21:00344877 RIV/68407700:21230/21:00344877 RIV/26722445:_____/21:N0000056
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1016/j.diamond.2020.108223" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.diamond.2020.108223</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2020.108223" target="_blank" >10.1016/j.diamond.2020.108223</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers
Popis výsledku v původním jazyce
Recent works indicate that boron-doped and phosphorous-doped diamond can be grown on atomically stepped (113) surfaces (A. Tallaire et al., 2016, M.-A. Pinault-Thaury et al., 2019), however the electrical properties of these layers have not been studied in detail. In this work, we report on structural and electrical properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (113) substrates. Properties of the diamond layers have been investigated by means of scanning electron microscopy, atomic force microscopy, Hall effect, secondary ion mass spectrometry and Raman spectroscopy. Our results show that boron-doped diamond layers can be grown on (113) substrates at high deposition rates with atomically flat surfaces, excellent electrical properties and high boron incorporation efficiency.
Název v anglickém jazyce
Properties of boron-doped (113) oriented homoepitaxial diamond layers
Popis výsledku anglicky
Recent works indicate that boron-doped and phosphorous-doped diamond can be grown on atomically stepped (113) surfaces (A. Tallaire et al., 2016, M.-A. Pinault-Thaury et al., 2019), however the electrical properties of these layers have not been studied in detail. In this work, we report on structural and electrical properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (113) substrates. Properties of the diamond layers have been investigated by means of scanning electron microscopy, atomic force microscopy, Hall effect, secondary ion mass spectrometry and Raman spectroscopy. Our results show that boron-doped diamond layers can be grown on (113) substrates at high deposition rates with atomically flat surfaces, excellent electrical properties and high boron incorporation efficiency.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Diamond and Related Materials
ISSN
0925-9635
e-ISSN
1879-0062
Svazek periodika
111
Číslo periodika v rámci svazku
Jan
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
108223
Kód UT WoS článku
000612811800009
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85097893923