(100) substrate processing optimization for fabrication of smooth boron doped epitaxial diamond layer by PE CVD

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00464790" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00464790 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21460/15:00309680

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

(100) substrate processing optimization for fabrication of smooth boron doped epitaxial diamond layer by PE CVD

Popis výsledku v původním jazyce

Boron doped diamond layers were grown in an SEKI AX5010 microwave plasma enhanced chemical vapour deposition system. Effect of surface preparation, i.e. polishing and O2/H2 plasma etching on epitaxial growth on type Ib (100) HPHT synthetic diamonds were investigated. Using optimized substrate preparation, smooth (RRMS ~ 1 nm) boron doped diamond layers with metallic conduction and free of un-epitaxial crystallites were grown with a relatively high growth rate of 3.7 μm/h. Diamond were characterized by optical microscopy, optical profilometry, atomic force microscopy and Hall effect.

Název v anglickém jazyce

(100) substrate processing optimization for fabrication of smooth boron doped epitaxial diamond layer by PE CVD

Popis výsledku anglicky

Boron doped diamond layers were grown in an SEKI AX5010 microwave plasma enhanced chemical vapour deposition system. Effect of surface preparation, i.e. polishing and O2/H2 plasma etching on epitaxial growth on type Ib (100) HPHT synthetic diamonds were investigated. Using optimized substrate preparation, smooth (RRMS ~ 1 nm) boron doped diamond layers with metallic conduction and free of un-epitaxial crystallites were grown with a relatively high growth rate of 3.7 μm/h. Diamond were characterized by optical microscopy, optical profilometry, atomic force microscopy and Hall effect.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/GA13-31783S" target="_blank" >GA13-31783S: Studium procesu mezifázového přenosu náboje na borem a fosforem dopovaném diamantu v kontaktu s roztokem elektrolytu</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

NANOCON 2014. 6th International conference proceedings

ISBN

978-80-87294-53-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

115-119

Název nakladatele

TANGER

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

5. 11. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000350636300018