Thin film limit correction method to the surface defective layer in low absorption spectroscopy
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00449525" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00449525 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2015.1699" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/asem.2015.1699</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2015.1699" target="_blank" >10.1166/asem.2015.1699</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Thin film limit correction method to the surface defective layer in low absorption spectroscopy
Popis výsledku v původním jazyce
We derive the so-called thin-film limit correction method to the surface defective layer in a low absorption spectroscopy as a novel approach to formulae for transmittance, reflectance and absorptance in highly versatile and accurate form. We draw attention to two remarkable consequences of the thin-film limit: (i) The optical properties depend on the product of the absorption coefficient, thickness and refraction index. (ii) The absorptance strongly depends on the index of refraction of the surroundingmedia. A new method is presented that allows direct evaluation of ultrathin surface defective layer absorptance. This presents a direct and elegant way avoiding complex evaluation of surface defective layer. Finally, we perform experimental verificationon a-Si:H thin films and we show that the optical absorption of the double layer of undoped thin film layer coated with the ultrathin doped layer is higher then the sum of the optical absorption of the individual layers.
Název v anglickém jazyce
Thin film limit correction method to the surface defective layer in low absorption spectroscopy
Popis výsledku anglicky
We derive the so-called thin-film limit correction method to the surface defective layer in a low absorption spectroscopy as a novel approach to formulae for transmittance, reflectance and absorptance in highly versatile and accurate form. We draw attention to two remarkable consequences of the thin-film limit: (i) The optical properties depend on the product of the absorption coefficient, thickness and refraction index. (ii) The absorptance strongly depends on the index of refraction of the surroundingmedia. A new method is presented that allows direct evaluation of ultrathin surface defective layer absorptance. This presents a direct and elegant way avoiding complex evaluation of surface defective layer. Finally, we perform experimental verificationon a-Si:H thin films and we show that the optical absorption of the double layer of undoped thin film layer coated with the ultrathin doped layer is higher then the sum of the optical absorption of the individual layers.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Advanced Science, Engineering and Medicine
ISSN
2164-6627
e-ISSN
—
Svazek periodika
7
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
343-346
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—