Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Thin film limit correction method to the surface defective layer in low absorption spectroscopy

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00449525" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00449525 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2015.1699" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/asem.2015.1699</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2015.1699" target="_blank" >10.1166/asem.2015.1699</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Thin film limit correction method to the surface defective layer in low absorption spectroscopy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We derive the so-called thin-film limit correction method to the surface defective layer in a low absorption spectroscopy as a novel approach to formulae for transmittance, reflectance and absorptance in highly versatile and accurate form. We draw attention to two remarkable consequences of the thin-film limit: (i) The optical properties depend on the product of the absorption coefficient, thickness and refraction index. (ii) The absorptance strongly depends on the index of refraction of the surroundingmedia. A new method is presented that allows direct evaluation of ultrathin surface defective layer absorptance. This presents a direct and elegant way avoiding complex evaluation of surface defective layer. Finally, we perform experimental verificationon a-Si:H thin films and we show that the optical absorption of the double layer of undoped thin film layer coated with the ultrathin doped layer is higher then the sum of the optical absorption of the individual layers.

  • Název v anglickém jazyce

    Thin film limit correction method to the surface defective layer in low absorption spectroscopy

  • Popis výsledku anglicky

    We derive the so-called thin-film limit correction method to the surface defective layer in a low absorption spectroscopy as a novel approach to formulae for transmittance, reflectance and absorptance in highly versatile and accurate form. We draw attention to two remarkable consequences of the thin-film limit: (i) The optical properties depend on the product of the absorption coefficient, thickness and refraction index. (ii) The absorptance strongly depends on the index of refraction of the surroundingmedia. A new method is presented that allows direct evaluation of ultrathin surface defective layer absorptance. This presents a direct and elegant way avoiding complex evaluation of surface defective layer. Finally, we perform experimental verificationon a-Si:H thin films and we show that the optical absorption of the double layer of undoped thin film layer coated with the ultrathin doped layer is higher then the sum of the optical absorption of the individual layers.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Advanced Science, Engineering and Medicine

  • ISSN

    2164-6627

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    7

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    343-346

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus