Thin-film limit formalism applied to surface defect absorption

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00440228" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00440228 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21230/14:00225012

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1364/OE.22.031466" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1364/OE.22.031466</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1364/OE.22.031466" target="_blank" >10.1364/OE.22.031466</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Thin-film limit formalism applied to surface defect absorption

Popis výsledku v původním jazyce

The thin-film limit is derived by a nonconventional approach and equations for transmittance, reflectance and absorptance are presented in highly versatile and accurate form. In the thin-film limit the optical properties do not depend on the absorption coefficient, thickness and refractive index individually, but only on their product. We show that this formalism is applicable to the problem of ultrathin defective layer e.g. on a top of a layer of amorphous silicon. We develop a new method of direct evaluation of the surface defective layer and the bulk defects. Applying this method to amorphous silicon on glass, we show that the surface defective layer differs from bulk amorphous silicon in terms of light soaking.

Název v anglickém jazyce

Thin-film limit formalism applied to surface defect absorption

Popis výsledku anglicky

The thin-film limit is derived by a nonconventional approach and equations for transmittance, reflectance and absorptance are presented in highly versatile and accurate form. In the thin-film limit the optical properties do not depend on the absorption coefficient, thickness and refractive index individually, but only on their product. We show that this formalism is applicable to the problem of ultrathin defective layer e.g. on a top of a layer of amorphous silicon. We develop a new method of direct evaluation of the surface defective layer and the bulk defects. Applying this method to amorphous silicon on glass, we show that the surface defective layer differs from bulk amorphous silicon in terms of light soaking.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Optics Express

ISSN

1094-4087

e-ISSN

—

Svazek periodika

22

Číslo periodika v rámci svazku

25

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

31466-31472

Kód UT WoS článku

000346368800141

EID výsledku v databázi Scopus

—