InGaN/GaN multiple quantum well structures for scintillator application

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00455030" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00455030 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

InGaN/GaN multiple quantum well structures for scintillator application

Popis výsledku v původním jazyce

Scintillator InGaN/GaN QW structure was prepared by MOVPE. The structure reported is a promising candidate for fast scintillator applications: the scintillation response characteristics are better compared to the currently widely used single crystal YAP:Ce or YAG:Ce scintillators. The radioluminescence decay time decreased 4 times from 16 ns to 4 ns when the QW thickness was decreased from 2.4 nm to 2 nm.

Název v anglickém jazyce

InGaN/GaN multiple quantum well structures for scintillator application

Popis výsledku anglicky

Scintillator InGaN/GaN QW structure was prepared by MOVPE. The structure reported is a promising candidate for fast scintillator applications: the scintillation response characteristics are better compared to the currently widely used single crystal YAP:Ce or YAG:Ce scintillators. The radioluminescence decay time decreased 4 times from 16 ns to 4 ns when the QW thickness was decreased from 2.4 nm to 2 nm.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů