Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00502820" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00502820 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/46747885:24220/19:00009705
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/C8CE01830H" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1039/C8CE01830H</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/C8CE01830H" target="_blank" >10.1039/C8CE01830H</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
Popis výsledku v původním jazyce
InGaN/GaN multiple quantum well structures are studied as potential candidates for superfast scintillation detectors and show the leading decay time of around 1 ns and intense luminescence. Photoluminescence properties of these structures with quantum well numbers ranging from 10 to 60 are described. It is shown that with increased QW number, the luminescence efficiency of the whole structure increases due to the V-pits of a sufficient size suppressing non-radiative recombination. Suppression of the non-radiative recombination near dislocations is demonstrated by the cathodoluminescence measurement. The optimal V-pit size is found to be in the range from 200 to 300 nm, which is obtained for structures with 40 QWs. On the other hand, when the V-pit size exceeds the optimal value, the PL intensity decreases by strong V-pit coalescence, which is observed for structures with 60 QWs. For further increasing the active region thickness it is necessary to find a way to control the V-pit size.n
Název v anglickém jazyce
Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
Popis výsledku anglicky
InGaN/GaN multiple quantum well structures are studied as potential candidates for superfast scintillation detectors and show the leading decay time of around 1 ns and intense luminescence. Photoluminescence properties of these structures with quantum well numbers ranging from 10 to 60 are described. It is shown that with increased QW number, the luminescence efficiency of the whole structure increases due to the V-pits of a sufficient size suppressing non-radiative recombination. Suppression of the non-radiative recombination near dislocations is demonstrated by the cathodoluminescence measurement. The optimal V-pit size is found to be in the range from 200 to 300 nm, which is obtained for structures with 40 QWs. On the other hand, when the V-pit size exceeds the optimal value, the PL intensity decreases by strong V-pit coalescence, which is observed for structures with 60 QWs. For further increasing the active region thickness it is necessary to find a way to control the V-pit size.n
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
CrystEngComm
ISSN
1466-8033
e-ISSN
—
Svazek periodika
21
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
356-362
Kód UT WoS článku
000454942600015
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85059551673