High-temperature superlinear luminescence in GaSb based nanostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells grown by MOVPE
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00455391" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00455391 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High-temperature superlinear luminescence in GaSb based nanostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells grown by MOVPE
Popis výsledku v původním jazyce
The electroluminescence properties of the nanoheterostructure with deep quantum well Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb grown by MOVPE on GaSb-substrate are studied. EL spectra was measured in 1.82.4 ?m (0.5?0.68 eV) range at elevated temperatures T = 20150 °C. For the first time the increasing of optical power at temperature up to 110 °C and futher sharp decreasing was observed. It was shown that such untypical behavior of the optical power temperature dependence is related to the features of the radiative recombination and Auger recombination processes of charge carriers in investigated structure.
Název v anglickém jazyce
High-temperature superlinear luminescence in GaSb based nanostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells grown by MOVPE
Popis výsledku anglicky
The electroluminescence properties of the nanoheterostructure with deep quantum well Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb grown by MOVPE on GaSb-substrate are studied. EL spectra was measured in 1.82.4 ?m (0.5?0.68 eV) range at elevated temperatures T = 20150 °C. For the first time the increasing of optical power at temperature up to 110 °C and futher sharp decreasing was observed. It was shown that such untypical behavior of the optical power temperature dependence is related to the features of the radiative recombination and Auger recombination processes of charge carriers in investigated structure.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Nanostructures: Physics and Technology. Proceedings
ISBN
978-5-7422-4876-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
77-78
Název nakladatele
Academic University Publishing
Místo vydání
Saint Petersburg
Místo konání akce
Saint Petersburg
Datum konání akce
22. 6. 2015
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—