Photoelectric and luminescence properties of GaSb-based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00395842" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00395842 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613080137" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613080137</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613080137" target="_blank" >10.1134/S1063782613080137</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Photoelectric and luminescence properties of GaSb-based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
Popis výsledku v původním jazyce
The luminescence and photoelectric properties of heterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown on n-GaSb substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy are investigated. Intense superlinear luminescence and increased optical power as a function of the pump current in the photon energy range of 0.6?0.8 eV are observed at temperatures of T = 77 and 300 K. Photodetectors with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown on n-GaSb substrates are promising foruse in heterodyne detection systems and in information technologies.
Název v anglickém jazyce
Photoelectric and luminescence properties of GaSb-based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
Popis výsledku anglicky
The luminescence and photoelectric properties of heterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown on n-GaSb substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy are investigated. Intense superlinear luminescence and increased optical power as a function of the pump current in the photon energy range of 0.6?0.8 eV are observed at temperatures of T = 77 and 300 K. Photodetectors with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown on n-GaSb substrates are promising foruse in heterodyne detection systems and in information technologies.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA13-15286S" target="_blank" >GA13-15286S: Nano-heterostruktury s hlubokou kvantovou jámou na bázi GaSb</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Semiconductors
ISSN
1063-7826
e-ISSN
—
Svazek periodika
47
Číslo periodika v rámci svazku
8
Stát vydavatele periodika
RU - Ruská federace
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
1037-1042
Kód UT WoS článku
000322877500006
EID výsledku v databázi Scopus
—