Graphene on SiC (0001) inspected by dynamic atomic force microscopy at room temperature
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00456224" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00456224 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21340/15:00369808
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.6.93" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.6.93</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.6.93" target="_blank" >10.3762/bjnano.6.93</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Graphene on SiC (0001) inspected by dynamic atomic force microscopy at room temperature
Popis výsledku v původním jazyce
We investigated single-layer graphene on SiC (0001) by atomic force and tunneling current microscopy, to separate the topographic and electronic contributions from the overall landscape. The analysis revealed that the roughness evaluated from the atomicforce maps is very low, in accord with theoretical simulations. We also observed that characteristic electron scattering effects on graphene edges and defects are not accompanied by any out- of-plane relaxations of carbon atoms.
Název v anglickém jazyce
Graphene on SiC (0001) inspected by dynamic atomic force microscopy at room temperature
Popis výsledku anglicky
We investigated single-layer graphene on SiC (0001) by atomic force and tunneling current microscopy, to separate the topographic and electronic contributions from the overall landscape. The analysis revealed that the roughness evaluated from the atomicforce maps is very low, in accord with theoretical simulations. We also observed that characteristic electron scattering effects on graphene edges and defects are not accompanied by any out- of-plane relaxations of carbon atoms.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Beilstein Journal of Nanotechnology
ISSN
2190-4286
e-ISSN
—
Svazek periodika
6
Číslo periodika v rámci svazku
Apr
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
901-906
Kód UT WoS článku
000352592200002
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84933052815