Study of Yb?doped CoSb3 thermoelectric thin films prepared by laser

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00456355" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00456355 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61389013:_____/15:00456355

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMM.749.46" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMM.749.46</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMM.749.46" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/AMM.749.46</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of Yb?doped CoSb3 thermoelectric thin films prepared by laser

Popis výsledku v původním jazyce

Thin films of Yb filled CoSb3 were prepared on fused silica substrates using pulsed laser deposition method. The stoichiometric Yb0,19Co4Sb12 target was prepared by hot pressing method. The deposition conditions were changed with the goal to reach layersof smooth morphology. The target-to substrate distance was kept equal to 4 cm. The ambient argon pressure moved from 0.5 Pa to 13 Pa, laser repetition rate from 3 Hz to 10 Hz, and substrate temperature from 250 °C to 400 °C. We tested laser fluencies from 0.8 Jcm-2 to 5 Jcm-2. Films roughness was determined by mechanical profilometer and by atomic force microscopy. The lowest roughness of about 5 nm ? 10 nm was reached for low laser fluencies but mechanical quality of films was poor and growth rate low(about 0.1 A/pulse). From WDX analysis follows that there is an excess of Yb and Sb compared to Yb0,19Co4Sb12 target.

Název v anglickém jazyce

Study of Yb?doped CoSb3 thermoelectric thin films prepared by laser

Popis výsledku anglicky

Thin films of Yb filled CoSb3 were prepared on fused silica substrates using pulsed laser deposition method. The stoichiometric Yb0,19Co4Sb12 target was prepared by hot pressing method. The deposition conditions were changed with the goal to reach layersof smooth morphology. The target-to substrate distance was kept equal to 4 cm. The ambient argon pressure moved from 0.5 Pa to 13 Pa, laser repetition rate from 3 Hz to 10 Hz, and substrate temperature from 250 °C to 400 °C. We tested laser fluencies from 0.8 Jcm-2 to 5 Jcm-2. Films roughness was determined by mechanical profilometer and by atomic force microscopy. The lowest roughness of about 5 nm ? 10 nm was reached for low laser fluencies but mechanical quality of films was poor and growth rate low(about 0.1 A/pulse). From WDX analysis follows that there is an excess of Yb and Sb compared to Yb0,19Co4Sb12 target.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA13-33056S" target="_blank" >GA13-33056S: Charakterizace tenkých termoelektrických vrstev a multi-vrstevnatých struktur pomocí rastrovacího termálního mikroskopu a Harmanovy metody.</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Applied Mechanics and Materials

ISBN

978-3-03835-445-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

46-50

Název nakladatele

Trans Tech Publications

Místo vydání

Pfaffikon

Místo konání akce

Phuket Island

Datum konání akce

16. 1. 2015

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—