Formation and Properties of p?i?n Diodes Based on Hydrogenated Amorphous Silicon with Embedded CrSi, MgSi and CaSi Nanocrystallites for Energy Conversion Applications.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00456681" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00456681 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985858:_____/15:00456681
Výsledek na webu
<a href="https://journals.jsap.jp/jjapproceedings/online/3-011104" target="_blank" >https://journals.jsap.jp/jjapproceedings/online/3-011104</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.7567/JJAPCP.3.011104" target="_blank" >10.7567/JJAPCP.3.011104</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Formation and Properties of p?i?n Diodes Based on Hydrogenated Amorphous Silicon with Embedded CrSi, MgSi and CaSi Nanocrystallites for Energy Conversion Applications.
Popis výsledku v původním jazyce
The hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) based p?i?n diode structures Al/a-Si:H(p+)/a-Si:H(i)/(silicides NPs/a-Si)x/a-Si:H(i)/a-Si:H(n+)/ITO/glass with multiple layers (x = 8,,15) of the embedded narrow band semiconducting nanoparticle silicide (CrSi2, Mg2Si, and Ca2Si) multistructures have been grown by combining the plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) and the UHV reactive deposition epitaxy (RDE). Formation of silicide nanoparticles and multistructures has been confirmed in-situ by the Auger electron spectroscopy (AES) and electron energy loss spectroscopies (EELS) and ex-situ by optical absorbance and Raman spectroscopies. The I?V curves of the a-Si:H p?i?n diodes with embedded silicide NP multistructures have shown the maximal forward current for Ca2Si nanoparticles. The room temperature electroluminescence has been observed in the near infrared region for diodes with embedded Ca2Si and Mg2Si NPs multistructures.
Název v anglickém jazyce
Formation and Properties of p?i?n Diodes Based on Hydrogenated Amorphous Silicon with Embedded CrSi, MgSi and CaSi Nanocrystallites for Energy Conversion Applications.
Popis výsledku anglicky
The hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) based p?i?n diode structures Al/a-Si:H(p+)/a-Si:H(i)/(silicides NPs/a-Si)x/a-Si:H(i)/a-Si:H(n+)/ITO/glass with multiple layers (x = 8,,15) of the embedded narrow band semiconducting nanoparticle silicide (CrSi2, Mg2Si, and Ca2Si) multistructures have been grown by combining the plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) and the UHV reactive deposition epitaxy (RDE). Formation of silicide nanoparticles and multistructures has been confirmed in-situ by the Auger electron spectroscopy (AES) and electron energy loss spectroscopies (EELS) and ex-situ by optical absorbance and Raman spectroscopies. The I?V curves of the a-Si:H p?i?n diodes with embedded silicide NP multistructures have shown the maximal forward current for Ca2Si nanoparticles. The room temperature electroluminescence has been observed in the near infrared region for diodes with embedded Ca2Si and Mg2Si NPs multistructures.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
JJAP Conference Proceedings, Volume 3
ISBN
978-4-86348-491-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
—
Název nakladatele
Japan Society of Applied Physics
Místo vydání
Tokyo
Místo konání akce
Tokyo
Datum konání akce
19. 7. 2014
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—