Technological Possibilities of Si:H Thin Film Deposition with Embedded Cubic Mg2Si Nanoparticles
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00421905" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00421905 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985858:_____/13:00421905
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201300362" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201300362</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201300362" target="_blank" >10.1002/pssc.201300362</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Technological Possibilities of Si:H Thin Film Deposition with Embedded Cubic Mg2Si Nanoparticles
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper we introduce three technological ways how to increase an absorption coefficient of hydrogenated silicon/Si:H/ thin films and diode structures on the base of Si:H. The first one is reactive deposition epitaxy (RDE), which permit to form silicide nanoparticles of different elements /Fe, Cr, Ca, Mg/ with semiconducting properties and convenient band gap. Two more simple techniques have been also tested for the creation of magnesium silicide nanoparticles (Mg2Si-NPs): a reactive laser ablation(RLA) and the combination of Mg vacuum evaporation and Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD). The formation of Mg2Si-NPs, its structures and the changes of optical absorption for samples grown by three methods have been proved by the Ramanand optical spectroscopies.
Název v anglickém jazyce
Technological Possibilities of Si:H Thin Film Deposition with Embedded Cubic Mg2Si Nanoparticles
Popis výsledku anglicky
In this paper we introduce three technological ways how to increase an absorption coefficient of hydrogenated silicon/Si:H/ thin films and diode structures on the base of Si:H. The first one is reactive deposition epitaxy (RDE), which permit to form silicide nanoparticles of different elements /Fe, Cr, Ca, Mg/ with semiconducting properties and convenient band gap. Two more simple techniques have been also tested for the creation of magnesium silicide nanoparticles (Mg2Si-NPs): a reactive laser ablation(RLA) and the combination of Mg vacuum evaporation and Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD). The formation of Mg2Si-NPs, its structures and the changes of optical absorption for samples grown by three methods have been proved by the Ramanand optical spectroscopies.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA13-25747S" target="_blank" >GA13-25747S: Nanoobjekty ternárních silicid-germanidů přechodných kovů pro využití ve fotovoltaice: morfologie, strukturní a fázové vztahy, fyzikální vlastnosti</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics
ISSN
1862-6351
e-ISSN
—
Svazek periodika
10
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
1712-1716
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—