The Laser Ablation as a perspective technique for the deposition of metal-silicide nanoparticles in situ embedded in PECVD of Si:H thin films

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/68378271:_____/15:00450131 - isvavai.cz

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985858:_____/15:00450131 RIV/68407700:21460/15:00241262

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

The Laser Ablation as a perspective technique for the deposition of metal-silicide nanoparticles in situ embedded in PECVD of Si:H thin films

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper we introduce amorphous hydrogenated silicon thin films (a-Si:H) deposited by PECVD with embedded magnesium silicide (Mg2Si) nanoparticles (NPs) which are created by Reactive Laser Ablation (RLA) of Mg target in low pressure of silane (SiH4). Both techniques are periodically changed in short intervals ? each of the monolayers of Mg2Si NPs is covered by thin a-Si:H film. The physical characteristics of those films are studied not only on high quality optical substrates but in diode structures too. As a final result we introduce the voltage dependence of the electroluminescence of deposited diodes

Název v anglickém jazyce

The Laser Ablation as a perspective technique for the deposition of metal-silicide nanoparticles in situ embedded in PECVD of Si:H thin films

Popis výsledku anglicky

In this paper we introduce amorphous hydrogenated silicon thin films (a-Si:H) deposited by PECVD with embedded magnesium silicide (Mg2Si) nanoparticles (NPs) which are created by Reactive Laser Ablation (RLA) of Mg target in low pressure of silane (SiH4). Both techniques are periodically changed in short intervals ? each of the monolayers of Mg2Si NPs is covered by thin a-Si:H film. The physical characteristics of those films are studied not only on high quality optical substrates but in diode structures too. As a final result we introduce the voltage dependence of the electroluminescence of deposited diodes

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

LH12236: Kvantový rozměrový efekt v polovodičových nanostrukturách pro optoelektroniku.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

JJAP Conference Proceedings 3

ISBN

978-4-86348-491-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

"011302-1"-"011302-5"

Název nakladatele

The Japan Society of Applied Physics

Místo vydání

Tokyo

Místo konání akce

Tokyo

Datum konání akce

19. 7. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—