The Laser Ablation as a perspective technique for the deposition of metal-silicide nanoparticles in situ embedded in PECVD of Si:H thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00450131" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00450131 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985858:_____/15:00450131 RIV/68407700:21460/15:00241262
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Laser Ablation as a perspective technique for the deposition of metal-silicide nanoparticles in situ embedded in PECVD of Si:H thin films
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper we introduce amorphous hydrogenated silicon thin films (a-Si:H) deposited by PECVD with embedded magnesium silicide (Mg2Si) nanoparticles (NPs) which are created by Reactive Laser Ablation (RLA) of Mg target in low pressure of silane (SiH4). Both techniques are periodically changed in short intervals ? each of the monolayers of Mg2Si NPs is covered by thin a-Si:H film. The physical characteristics of those films are studied not only on high quality optical substrates but in diode structures too. As a final result we introduce the voltage dependence of the electroluminescence of deposited diodes
Název v anglickém jazyce
The Laser Ablation as a perspective technique for the deposition of metal-silicide nanoparticles in situ embedded in PECVD of Si:H thin films
Popis výsledku anglicky
In this paper we introduce amorphous hydrogenated silicon thin films (a-Si:H) deposited by PECVD with embedded magnesium silicide (Mg2Si) nanoparticles (NPs) which are created by Reactive Laser Ablation (RLA) of Mg target in low pressure of silane (SiH4). Both techniques are periodically changed in short intervals ? each of the monolayers of Mg2Si NPs is covered by thin a-Si:H film. The physical characteristics of those films are studied not only on high quality optical substrates but in diode structures too. As a final result we introduce the voltage dependence of the electroluminescence of deposited diodes
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LH12236" target="_blank" >LH12236: Kvantový rozměrový efekt v polovodičových nanostrukturách pro optoelektroniku.</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
JJAP Conference Proceedings 3
ISBN
978-4-86348-491-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
"011302-1"-"011302-5"
Název nakladatele
The Japan Society of Applied Physics
Místo vydání
Tokyo
Místo konání akce
Tokyo
Datum konání akce
19. 7. 2014
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—