The combined technological methods for deposition of Si:H thin films and structures with in situ embedded nanoparticles
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00451866" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00451866 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985858:_____/15:00451866
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2015.1689" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/asem.2015.1689</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2015.1689" target="_blank" >10.1166/asem.2015.1689</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The combined technological methods for deposition of Si:H thin films and structures with in situ embedded nanoparticles
Popis výsledku v původním jazyce
Up to now the deposited thin film structures on the base of hydrogenated silicon (Si:H) by PECVD technique are applied in many devices. Although the quality of Si:H thin films was modified by change of technological parameters and Si:H was studied intensively for many years, the possible applications are still limited. Therefore, we study the combined methods of Si:H thin films deposition with embedded nanoparticles, modify the quality of the Si:H thin films and made them convenient for further applications, for example light emitting diodes (LEDs. Our paper is focused on technology details of deposition of PbS and Mg2Si nanoparticles embedded in a-Si matrix with the emphasis on the in situ deposition without interruption of vacuum process.
Název v anglickém jazyce
The combined technological methods for deposition of Si:H thin films and structures with in situ embedded nanoparticles
Popis výsledku anglicky
Up to now the deposited thin film structures on the base of hydrogenated silicon (Si:H) by PECVD technique are applied in many devices. Although the quality of Si:H thin films was modified by change of technological parameters and Si:H was studied intensively for many years, the possible applications are still limited. Therefore, we study the combined methods of Si:H thin films deposition with embedded nanoparticles, modify the quality of the Si:H thin films and made them convenient for further applications, for example light emitting diodes (LEDs. Our paper is focused on technology details of deposition of PbS and Mg2Si nanoparticles embedded in a-Si matrix with the emphasis on the in situ deposition without interruption of vacuum process.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LH12236" target="_blank" >LH12236: Kvantový rozměrový efekt v polovodičových nanostrukturách pro optoelektroniku.</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Advanced Science, Engineering and Medicine
ISSN
2164-6627
e-ISSN
—
Svazek periodika
7
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
265-269
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—