High performance AlN-based surface acoustic wave sensors on TiN on (100) silicon substrate

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00464775" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00464775 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/GSMM.2015.7175461" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/GSMM.2015.7175461</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/GSMM.2015.7175461" target="_blank" >10.1109/GSMM.2015.7175461</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

High performance AlN-based surface acoustic wave sensors on TiN on (100) silicon substrate

Popis výsledku v původním jazyce

Fabrication of surface acoustic wave sensors (SAW) based on aluminum nitride (AlN) thin film are reported with improved performance using titanium nitride (TiN) nucleation buffer layer as plate electrode on (100) oriented Silicon (Si) substrate. AlN and TiN thin films are deposited at low temperature by magnetron sputtering and characterized by X-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, showing good crystalline properties. The insertion loss measured on AlN/Si and AlN/TiN/Si based SAW devices shows clearly that the presence of a TiN nucleation layer improves the acoustic wave device performances. As a final result, a SAW device made on a AlN/TiN membrane by backside etched Si substrate generates symmetrical Lamb wave properties with central frequency at 630 MHz and a phase velocity of 10176 m.s-1. Operation in the microwave range is possible with appropriate AlN layers.

Název v anglickém jazyce

High performance AlN-based surface acoustic wave sensors on TiN on (100) silicon substrate

Popis výsledku anglicky

Fabrication of surface acoustic wave sensors (SAW) based on aluminum nitride (AlN) thin film are reported with improved performance using titanium nitride (TiN) nucleation buffer layer as plate electrode on (100) oriented Silicon (Si) substrate. AlN and TiN thin films are deposited at low temperature by magnetron sputtering and characterized by X-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, showing good crystalline properties. The insertion loss measured on AlN/Si and AlN/TiN/Si based SAW devices shows clearly that the presence of a TiN nucleation layer improves the acoustic wave device performances. As a final result, a SAW device made on a AlN/TiN membrane by backside etched Si substrate generates symmetrical Lamb wave properties with central frequency at 630 MHz and a phase velocity of 10176 m.s-1. Operation in the microwave range is possible with appropriate AlN layers.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

MILLIMETER WAVES. GLOBAL SYMPOSIUM

ISBN

9781467371810

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Název nakladatele

Institute of Electrical and Electronics Engineers ( IEEE )

Místo vydání

Montreal

Místo konání akce

Montreal

Datum konání akce

25. 5. 2015

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000380569600036