Hypersonic band gap in an AlN-TiN bilayer phononic crystal slab

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00427123" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00427123 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4864310" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4864310</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4864310" target="_blank" >10.1063/1.4864310</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Hypersonic band gap in an AlN-TiN bilayer phononic crystal slab

Popis výsledku v původním jazyce

We show both theoretically and experimentally the existence of a complete band gap in a phononic crystal (PnC) constituted by periodical air holes drilled in a solid bi-layer slab. The composite slab is formed with an aluminum nitride (AlN) layer deposited on a titanium nitride (TiN) thin metallic film. Indeed, AlN slabs are of great interest in many technological applications, in particular, owing to the capabilities of AlN as a complementary metal-oxide-semiconductor compatible material for integration in piezoelectric radio frequency filters (thin-film bulk acoustic resonator technology). The TiN layer was chosen as a buffer to enable small lattice mismatch with AlN, thus resulting in highly c-axis oriented and low stresses at the interface.

Název v anglickém jazyce

Hypersonic band gap in an AlN-TiN bilayer phononic crystal slab

Popis výsledku anglicky

We show both theoretically and experimentally the existence of a complete band gap in a phononic crystal (PnC) constituted by periodical air holes drilled in a solid bi-layer slab. The composite slab is formed with an aluminum nitride (AlN) layer deposited on a titanium nitride (TiN) thin metallic film. Indeed, AlN slabs are of great interest in many technological applications, in particular, owing to the capabilities of AlN as a complementary metal-oxide-semiconductor compatible material for integration in piezoelectric radio frequency filters (thin-film bulk acoustic resonator technology). The TiN layer was chosen as a buffer to enable small lattice mismatch with AlN, thus resulting in highly c-axis oriented and low stresses at the interface.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

104

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

"063101-1"-"063101-5"

Kód UT WoS článku

000331803800067

EID výsledku v databázi Scopus

—