Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Hypersonic band gap in an AlN-TiN bilayer phononic crystal slab

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00427123" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00427123 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4864310" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4864310</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4864310" target="_blank" >10.1063/1.4864310</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Hypersonic band gap in an AlN-TiN bilayer phononic crystal slab

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We show both theoretically and experimentally the existence of a complete band gap in a phononic crystal (PnC) constituted by periodical air holes drilled in a solid bi-layer slab. The composite slab is formed with an aluminum nitride (AlN) layer deposited on a titanium nitride (TiN) thin metallic film. Indeed, AlN slabs are of great interest in many technological applications, in particular, owing to the capabilities of AlN as a complementary metal-oxide-semiconductor compatible material for integration in piezoelectric radio frequency filters (thin-film bulk acoustic resonator technology). The TiN layer was chosen as a buffer to enable small lattice mismatch with AlN, thus resulting in highly c-axis oriented and low stresses at the interface.

  • Název v anglickém jazyce

    Hypersonic band gap in an AlN-TiN bilayer phononic crystal slab

  • Popis výsledku anglicky

    We show both theoretically and experimentally the existence of a complete band gap in a phononic crystal (PnC) constituted by periodical air holes drilled in a solid bi-layer slab. The composite slab is formed with an aluminum nitride (AlN) layer deposited on a titanium nitride (TiN) thin metallic film. Indeed, AlN slabs are of great interest in many technological applications, in particular, owing to the capabilities of AlN as a complementary metal-oxide-semiconductor compatible material for integration in piezoelectric radio frequency filters (thin-film bulk acoustic resonator technology). The TiN layer was chosen as a buffer to enable small lattice mismatch with AlN, thus resulting in highly c-axis oriented and low stresses at the interface.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Applied Physics Letters

  • ISSN

    0003-6951

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    104

  • Číslo periodika v rámci svazku

    6

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    "063101-1"-"063101-5"

  • Kód UT WoS článku

    000331803800067

  • EID výsledku v databázi Scopus