Schottky contact metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00466446" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00466446 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2016.7805919" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2016.7805919</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2016.7805919" target="_blank" >10.1109/ASDAM.2016.7805919</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Schottky contact metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process

Popis výsledku v původním jazyce

The issue of gate metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process has been studied. Among tested Ni, Ir, NiO and IrO2 materials the iridium-based has the most promising characteristic to be used. The diamond growth in focused microwave plasma system on transistors with Ir and IrO2 Schottky contact metallization has been demonstrated and discussed.

Název v anglickém jazyce

Schottky contact metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process

Popis výsledku anglicky

The issue of gate metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process has been studied. Among tested Ni, Ir, NiO and IrO2 materials the iridium-based has the most promising characteristic to be used. The diamond growth in focused microwave plasma system on transistors with Ir and IrO2 Schottky contact metallization has been demonstrated and discussed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GP14-16549P" target="_blank" >GP14-16549P: Ladění elektrických vlastností hybridních struktur diamantu a galium nitridu řízenou optimalizací vnitřních pnutí</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ASDAM 2016

ISBN

978-150903083-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

157-160

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Danvers

Místo konání akce

Smolenice

Datum konání akce

13. 11. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000392530900039