Microwave radiation absorption and Shubnikov-de Haas oscillations in semimetal InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00469042" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00469042 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/1.JNP.10.046013" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/1.JNP.10.046013</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/1.JNP.10.046013" target="_blank" >10.1117/1.JNP.10.046013</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Microwave radiation absorption and Shubnikov-de Haas oscillations in semimetal InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells
Popis výsledku v původním jazyce
Strong Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations were observed in the derivative of microwave absorption in InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells (CQWs) using electron-paramagnetic resonance spectroscopy at low temperatures and in the magnetic field up to 14 kOe. CQWs were grown on n-GaSb:Te(100) and n-InAs:Mn substrates with various widths of QWs by MOVPE. A predominant contribution to the bulk n-GaSb substrate in SdH oscillations was manifested. Two frequencies of the SdH oscillations connected with warping of the Fermi surface of GaSb were found from Fourier analysis. An unusual angular indicatrix was observed in dependence on the orientation of the samples grown on n-GaSb in the magnetic field. The obtained results can be explained by bulk inversion asymmetry, which is a feature of substances with a lack of inversion centers.n
Název v anglickém jazyce
Microwave radiation absorption and Shubnikov-de Haas oscillations in semimetal InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells
Popis výsledku anglicky
Strong Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations were observed in the derivative of microwave absorption in InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells (CQWs) using electron-paramagnetic resonance spectroscopy at low temperatures and in the magnetic field up to 14 kOe. CQWs were grown on n-GaSb:Te(100) and n-InAs:Mn substrates with various widths of QWs by MOVPE. A predominant contribution to the bulk n-GaSb substrate in SdH oscillations was manifested. Two frequencies of the SdH oscillations connected with warping of the Fermi surface of GaSb were found from Fourier analysis. An unusual angular indicatrix was observed in dependence on the orientation of the samples grown on n-GaSb in the magnetic field. The obtained results can be explained by bulk inversion asymmetry, which is a feature of substances with a lack of inversion centers.n
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Nanophotonics
ISSN
1934-2608
e-ISSN
—
Svazek periodika
10
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84998881896