Mechanical properties and microstructural characterization of amorphous SiCxNy thin films after annealing beyond 1100°C
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00470522" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00470522 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61989592:15310/16:33158917
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1111/jace.14057" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1111/jace.14057</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1111/jace.14057" target="_blank" >10.1111/jace.14057</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Mechanical properties and microstructural characterization of amorphous SiCxNy thin films after annealing beyond 1100°C
Popis výsledku v původním jazyce
The effect of thermal annealing on structure and mechanical properties of amorphous SiCxNy (y 0) thin films was investigated up to 1500°C in air and Ar. The SiCxNy films (2.2–3.4 μm) were deposited by reactive DC magnetron sputtering on Si, Al2O3 and α-SiC substrates without intentional heating and at 600°C. The SiC target with small excess of carbon was sputtered at various N2/Ar gas flow ratios (0–0.48). The nitrogen content in the films changes in the range 0–43 at.%. Hardness and elastic modulus (nanoindentation), change in film thickness, film composition, and structure (Raman spectroscopy, XRD) were investigated in dependence on annealing temperature and nitrogen content.All SiCxNy films preserve their amorphous structure up to 1500°C.The hardness of all as-deposited and both air- and Ar-annealed SiCxNy films decreases with growth of nitrogen content.
Název v anglickém jazyce
Mechanical properties and microstructural characterization of amorphous SiCxNy thin films after annealing beyond 1100°C
Popis výsledku anglicky
The effect of thermal annealing on structure and mechanical properties of amorphous SiCxNy (y 0) thin films was investigated up to 1500°C in air and Ar. The SiCxNy films (2.2–3.4 μm) were deposited by reactive DC magnetron sputtering on Si, Al2O3 and α-SiC substrates without intentional heating and at 600°C. The SiC target with small excess of carbon was sputtered at various N2/Ar gas flow ratios (0–0.48). The nitrogen content in the films changes in the range 0–43 at.%. Hardness and elastic modulus (nanoindentation), change in film thickness, film composition, and structure (Raman spectroscopy, XRD) were investigated in dependence on annealing temperature and nitrogen content.All SiCxNy films preserve their amorphous structure up to 1500°C.The hardness of all as-deposited and both air- and Ar-annealed SiCxNy films decreases with growth of nitrogen content.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LO1305" target="_blank" >LO1305: Rozvoj centra pokročilých technologií a materiálů</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of the American Ceramic Society
ISSN
0002-7820
e-ISSN
—
Svazek periodika
99
Číslo periodika v rámci svazku
3
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
996-1005
Kód UT WoS článku
000372189300038
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84959493771