High temperature nanoindentation testing of amorphous SiC and B4C thin films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00470728" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00470728 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61989592:15310/16:33161932

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/DDF.368.115" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/DDF.368.115</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/DDF.368.115" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/DDF.368.115</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

High temperature nanoindentation testing of amorphous SiC and B4C thin films

Popis výsledku v původním jazyce

Amorphous silicon carbide (a-SiC) and boron carbide (a-B4C) thin films were deposited using reactive magnetron sputtering of SiC and B4C target, respectively. Nanoindentation tests performed up to 450 °C in air were performed to explore and compare their hardness and elastic modulus. Hardness of a-B4C film decreases at smaller rate in comparison to a-SiC film up to 450 °C. Similarly, elastic modulus value of B4C is more stable with temperature than that of a-SiC.

Název v anglickém jazyce

High temperature nanoindentation testing of amorphous SiC and B4C thin films

Popis výsledku anglicky

Amorphous silicon carbide (a-SiC) and boron carbide (a-B4C) thin films were deposited using reactive magnetron sputtering of SiC and B4C target, respectively. Nanoindentation tests performed up to 450 °C in air were performed to explore and compare their hardness and elastic modulus. Hardness of a-B4C film decreases at smaller rate in comparison to a-SiC film up to 450 °C. Similarly, elastic modulus value of B4C is more stable with temperature than that of a-SiC.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JH - Keramika, žáruvzdorné materiály a skla

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TA04011156" target="_blank" >TA04011156: Funkční tenkovrstvé optické struktury.</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Defect and Diffusion Forum. Vol. 368

ISBN

978-3-03835-720-9

ISSN

1012-0386

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

115-118

Název nakladatele

Trans Tech Publications Ltd

Místo vydání

Zürich

Místo konání akce

Liberec

Datum konání akce

4. 11. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—