Structural and electronic properties of nitrogen-doped graphene

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00471545" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00471545 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.116.126805" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.116.126805</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.116.126805" target="_blank" >10.1103/PhysRevLett.116.126805</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Structural and electronic properties of nitrogen-doped graphene
Popis výsledku v původním jazyce
We investigate the structural and electronic properties of nitrogen-doped epitaxial monolayer graphene and quasifreestanding monolayer graphene on 6H-SiC(0001) by the normal incidence x-ray standing wave technique and by angle-resolved photoelectron spectroscopy supported by density functional theory simulations.
Název v anglickém jazyce
Structural and electronic properties of nitrogen-doped graphene
Popis výsledku anglicky
We investigate the structural and electronic properties of nitrogen-doped epitaxial monolayer graphene and quasifreestanding monolayer graphene on 6H-SiC(0001) by the normal incidence x-ray standing wave technique and by angle-resolved photoelectron spectroscopy supported by density functional theory simulations.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA15-07172S" target="_blank" >GA15-07172S: Optimalizace vlastností grafenu dopováním substitučními příměsemi: teorie a experiment</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)