Investigation of metal contacts on semi-insulating GaAs: physics, technology and applications

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00486629" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00486629 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://ieeexplore.ieee.org/document/7805934/" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/document/7805934/</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2016.7805934" target="_blank" >10.1109/ASDAM.2016.7805934</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Investigation of metal contacts on semi-insulating GaAs: physics, technology and applications

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the investigation of the metallization of SI-GaAs based radiation detectors. Combinations of the metals with significantly different works function (Mg, Pt) were deposited as on top and bottom sides of the detector structures and I-V characteristics were measured. It is shown that the usage of Mg on at least one side causes the significant reduction of low-bias and/or saturated current. Origin of this effect is discussed, including a possible presence of the MgO layer at the metal-semiconductor interface.

Název v anglickém jazyce

Investigation of metal contacts on semi-insulating GaAs: physics, technology and applications

Popis výsledku anglicky

We report on the investigation of the metallization of SI-GaAs based radiation detectors. Combinations of the metals with significantly different works function (Mg, Pt) were deposited as on top and bottom sides of the detector structures and I-V characteristics were measured. It is shown that the usage of Mg on at least one side causes the significant reduction of low-bias and/or saturated current. Origin of this effect is discussed, including a possible presence of the MgO layer at the metal-semiconductor interface.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems

ISBN

978-1-5090-3083-5

ISSN

2475-2916

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

IEEE Inc.

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Smolenice

Datum konání akce

13. 11. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000392530900054