Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Influence of non-adherent yeast cells on electrical characteristics of diamond-based field-effect transistors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00470423" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00470423 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/67985882:_____/17:00470423 RIV/68407700:21230/17:00242871

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.05.003" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.05.003</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.05.003" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2016.05.003</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Influence of non-adherent yeast cells on electrical characteristics of diamond-based field-effect transistors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Diamond thin films provide unique features as substrates for cell cultures and as bio-electronic sensors. Here we employ solution-gated field effect transistors (SGFET) based on nanocrystalline diamond thin films with H-terminated surface which exhibits the sub-surface p-type conductive channel. We study an influence of yeast cells (Saccharomyces cerevisiae) on electrical characteristics of the diamond SGFETs. Two different cell culture solutions (sucrose and yeast peptone dextrose–YPD) are used, with and without the cells. We have found that transfer characteristics of the SGFETs exhibit a negative shift of the gate voltage by −26 mV and −42 mV for sucrose and YPD with cells in comparison to blank solutions without the cells. This effect is attributed to a local pH change in close vicinity of the H-terminated diamond surface due to metabolic processes of the yeast cells.n

  • Název v anglickém jazyce

    Influence of non-adherent yeast cells on electrical characteristics of diamond-based field-effect transistors

  • Popis výsledku anglicky

    Diamond thin films provide unique features as substrates for cell cultures and as bio-electronic sensors. Here we employ solution-gated field effect transistors (SGFET) based on nanocrystalline diamond thin films with H-terminated surface which exhibits the sub-surface p-type conductive channel. We study an influence of yeast cells (Saccharomyces cerevisiae) on electrical characteristics of the diamond SGFETs. Two different cell culture solutions (sucrose and yeast peptone dextrose–YPD) are used, with and without the cells. We have found that transfer characteristics of the SGFETs exhibit a negative shift of the gate voltage by −26 mV and −42 mV for sucrose and YPD with cells in comparison to blank solutions without the cells. This effect is attributed to a local pH change in close vicinity of the H-terminated diamond surface due to metabolic processes of the yeast cells.n

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10610 - Biophysics

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GBP108%2F12%2FG108" target="_blank" >GBP108/12/G108: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů zářením</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Applied Surface Science

  • ISSN

    0169-4332

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    395

  • Číslo periodika v rámci svazku

    Feb

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    214-219

  • Kód UT WoS článku

    000390428300036

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84967155237