Influence of non-adherent yeast cells on electrical characteristics of diamond-based field-effect transistors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00470423" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00470423 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985882:_____/17:00470423 RIV/68407700:21230/17:00242871
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.05.003" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.05.003</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.05.003" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2016.05.003</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of non-adherent yeast cells on electrical characteristics of diamond-based field-effect transistors
Popis výsledku v původním jazyce
Diamond thin films provide unique features as substrates for cell cultures and as bio-electronic sensors. Here we employ solution-gated field effect transistors (SGFET) based on nanocrystalline diamond thin films with H-terminated surface which exhibits the sub-surface p-type conductive channel. We study an influence of yeast cells (Saccharomyces cerevisiae) on electrical characteristics of the diamond SGFETs. Two different cell culture solutions (sucrose and yeast peptone dextrose–YPD) are used, with and without the cells. We have found that transfer characteristics of the SGFETs exhibit a negative shift of the gate voltage by −26 mV and −42 mV for sucrose and YPD with cells in comparison to blank solutions without the cells. This effect is attributed to a local pH change in close vicinity of the H-terminated diamond surface due to metabolic processes of the yeast cells.n
Název v anglickém jazyce
Influence of non-adherent yeast cells on electrical characteristics of diamond-based field-effect transistors
Popis výsledku anglicky
Diamond thin films provide unique features as substrates for cell cultures and as bio-electronic sensors. Here we employ solution-gated field effect transistors (SGFET) based on nanocrystalline diamond thin films with H-terminated surface which exhibits the sub-surface p-type conductive channel. We study an influence of yeast cells (Saccharomyces cerevisiae) on electrical characteristics of the diamond SGFETs. Two different cell culture solutions (sucrose and yeast peptone dextrose–YPD) are used, with and without the cells. We have found that transfer characteristics of the SGFETs exhibit a negative shift of the gate voltage by −26 mV and −42 mV for sucrose and YPD with cells in comparison to blank solutions without the cells. This effect is attributed to a local pH change in close vicinity of the H-terminated diamond surface due to metabolic processes of the yeast cells.n
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10610 - Biophysics
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GBP108%2F12%2FG108" target="_blank" >GBP108/12/G108: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů zářením</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Surface Science
ISSN
0169-4332
e-ISSN
—
Svazek periodika
395
Číslo periodika v rámci svazku
Feb
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
214-219
Kód UT WoS článku
000390428300036
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84967155237