Hydrogen plasma treatment of ZnO thin films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00478353" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00478353 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21460/17:00363010

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Hydrogen plasma treatment of ZnO thin films

Popis výsledku v původním jazyce

ZnO is an attractive wide band gap semiconductor with large exciton binding energy, high refractive index, high biocompatibility and diversety of nanostructure shapes which makes it suitable for many applications in the optoelectronic devices, optical sensors, and biosensors. We study the effect of hydrogen plasma treatment of the nominally undoped ZnO thin film deposited by DC reactive magnetron sputtering of Zn target in the gas mixture of argon and oxygen plasma. The SEM images show that the crystal size increases with film thickness. We confirm, that the electrical conductivity significantly increases after hydrogen plasma treatment by 4 orders of magnitude. Moreover, the increase of the infrared optical absorption, related to free carrier concentration, was detected below the optical absorption edge by the photothermal deflection spectroscopy.n

Název v anglickém jazyce

Hydrogen plasma treatment of ZnO thin films

Popis výsledku anglicky

ZnO is an attractive wide band gap semiconductor with large exciton binding energy, high refractive index, high biocompatibility and diversety of nanostructure shapes which makes it suitable for many applications in the optoelectronic devices, optical sensors, and biosensors. We study the effect of hydrogen plasma treatment of the nominally undoped ZnO thin film deposited by DC reactive magnetron sputtering of Zn target in the gas mixture of argon and oxygen plasma. The SEM images show that the crystal size increases with film thickness. We confirm, that the electrical conductivity significantly increases after hydrogen plasma treatment by 4 orders of magnitude. Moreover, the increase of the infrared optical absorption, related to free carrier concentration, was detected below the optical absorption edge by the photothermal deflection spectroscopy.n

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/GC16-10429J" target="_blank" >GC16-10429J: Optické, elektrické a magnetické vlastnosti ZnO nanostruktur</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

NANOCON 2016 8th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings

ISBN

978-80-87294-71-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

161-165

Název nakladatele

TANGER Ltd.

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

19. 10. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000410656100027