In-situ formation of magnesium silicide nanoparticles on the surface of the hydrogenated silicon films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00479007" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00479007 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.7567/JJAPCP.5.011303" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.7567/JJAPCP.5.011303</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.7567/JJAPCP.5.011303" target="_blank" >10.7567/JJAPCP.5.011303</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
In-situ formation of magnesium silicide nanoparticles on the surface of the hydrogenated silicon films
Popis výsledku v původním jazyce
The magnesium silicide nanoparticles were formed on the surface of hydrogenated silicon thin films by thermal evaporation, annealing and hydrogen plasma treatment. The high reactivity of silicon and magnesium leads to the self-formation of magnesium silicide nanoparticles (NPs). The reaction is stimulated in-situ by the low pressure hydrogen plasma. The presence of Mg2Si NPs was confirmed by SEM and Raman spectroscopy. The photothermal deflection spectroscopy (PDS) shows the enhanced optical absorption in the near infrared spectrum. The diode structures with in-situ embedded Mg2Si NPs were characterized by the volt-ampere measurements in dark and under AM1.5 spectrum.
Název v anglickém jazyce
In-situ formation of magnesium silicide nanoparticles on the surface of the hydrogenated silicon films
Popis výsledku anglicky
The magnesium silicide nanoparticles were formed on the surface of hydrogenated silicon thin films by thermal evaporation, annealing and hydrogen plasma treatment. The high reactivity of silicon and magnesium leads to the self-formation of magnesium silicide nanoparticles (NPs). The reaction is stimulated in-situ by the low pressure hydrogen plasma. The presence of Mg2Si NPs was confirmed by SEM and Raman spectroscopy. The photothermal deflection spectroscopy (PDS) shows the enhanced optical absorption in the near infrared spectrum. The diode structures with in-situ embedded Mg2Si NPs were characterized by the volt-ampere measurements in dark and under AM1.5 spectrum.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA13-12386S" target="_blank" >GA13-12386S: Fotovodivost a dynamika excitací v nanostrukturovaných a neuspořádaných polovodičích na ultrarychlé časové škále</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
JJAP Conference Proceedings vol. 5
ISBN
978-4-86348-617-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Název nakladatele
The Japan Society of Applied Physics
Místo vydání
Tokyo
Místo konání akce
Fukuoka
Datum konání akce
16. 7. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—