Exploring silicon carbide- and silicon oxide-based layer stacks for passivating contacts to silicon solar cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00511249" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00511249 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2017.8366518" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2017.8366518</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2017.8366518" target="_blank" >10.1109/PVSC.2017.8366518</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Exploring silicon carbide- and silicon oxide-based layer stacks for passivating contacts to silicon solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

We present the development of passivating contacts for high-efficiency silicon solar cells using silicon oxide (SiOx) and silicon carbide (SiCx)-based layers. We discuss a comprehensive optimization of a SiCx-based passivating hole contact reaching implied open circuit voltages >715 mV. In addition, we introduce a passivating hole contact based on nanocrystalline SiOx (nc-SiOx) targeting compatibility with higher process temperatures as well as increased optical transparency for front side application.

Název v anglickém jazyce

Exploring silicon carbide- and silicon oxide-based layer stacks for passivating contacts to silicon solar cells

Popis výsledku anglicky

We present the development of passivating contacts for high-efficiency silicon solar cells using silicon oxide (SiOx) and silicon carbide (SiCx)-based layers. We discuss a comprehensive optimization of a SiCx-based passivating hole contact reaching implied open circuit voltages >715 mV. In addition, we introduce a passivating hole contact based on nanocrystalline SiOx (nc-SiOx) targeting compatibility with higher process temperatures as well as increased optical transparency for front side application.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

IEEE Photovoltaics Specialists Conference (PVSC 2017) /44./

ISBN

978-1-5090-5605-7

ISSN

0160-8371

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

2073-2075

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Washington, DC

Datum konání akce

25. 6. 2017

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000455636002020