Passivating contacts for silicon solar cells with 800 °C stability based on tunnel-oxide and highly crystalline thin silicon layer

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00511318" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00511318 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2016.7750100" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2016.7750100</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/PVSC.2016.7750100" target="_blank" >10.1109/PVSC.2016.7750100</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Passivating contacts for silicon solar cells with 800 °C stability based on tunnel-oxide and highly crystalline thin silicon layer

Popis výsledku v původním jazyce

Passivating contacts based on nanostructured highly crystalline thin silicon layers are presented. The contact layer stack is optimized towards full crystallinity targeting high transparency. We present an optimization of an electron selective contact and demonstrate excellent surface passivation on n-type and also p-type wafers with such highly crystalline layers. On n-type wafers, the electron selective contact attains an implied open-circuit voltage of 718 mV at an annealing temperature of 925 degrees C. For p-type wafers we find optimum conditions between 850 degrees C and 900 degrees C attaining an implied open-circuit voltage of 723 mV. First tests with hole-selective contacts have yielded an implied open-circuit voltage of up to 676 mV after thermal annealing at 800 degrees C.

Název v anglickém jazyce

Passivating contacts for silicon solar cells with 800 °C stability based on tunnel-oxide and highly crystalline thin silicon layer

Popis výsledku anglicky

Passivating contacts based on nanostructured highly crystalline thin silicon layers are presented. The contact layer stack is optimized towards full crystallinity targeting high transparency. We present an optimization of an electron selective contact and demonstrate excellent surface passivation on n-type and also p-type wafers with such highly crystalline layers. On n-type wafers, the electron selective contact attains an implied open-circuit voltage of 718 mV at an annealing temperature of 925 degrees C. For p-type wafers we find optimum conditions between 850 degrees C and 900 degrees C attaining an implied open-circuit voltage of 723 mV. First tests with hole-selective contacts have yielded an implied open-circuit voltage of up to 676 mV after thermal annealing at 800 degrees C.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/LM2015087" target="_blank" >LM2015087: Laboratoř nanostruktur a nanomateriálů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 2016) /43./

ISBN

978-1-5090-2724-8

ISSN

0160-8371

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

2518-2521

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Portland

Datum konání akce

5. 6. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000399818702126