Wide range dielectric and infrared spectroscopy of (Nb plus In) co-doped rutile ceramics

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00493522" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00493522 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.075002" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.075002</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.075002" target="_blank" >10.1103/PhysRevMaterials.2.075002</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Wide range dielectric and infrared spectroscopy of (Nb plus In) co-doped rutile ceramics

Popis výsledku v původním jazyce

It is argued that the colossal dielectric permittivity reported by Hu et al. [Hu et al., Nat.Mater. 12, 821(2013)]has the same explanation as in the original colossal permittivity material CaCu3TiO4O12(CCTO), namely, a combination of the internal barrier layer capacitor (IBLC) and the surface barrier layer capacitor (SBLC) effects. The IBLC effect is caused by a microstructure consisting of insulating grain boundaries (thickness ˷ 1 nm and conductivity of ˷ 10-6 S/cm) surrounding interior regions of bulk conductivity approximately equal to 10-1 S/cm. The SBLC effect is the result of a depletion layer adjacent to the contacts approximately 100 nm thick with conductivity of 5*10-7 S/cm. The SBLC and IBLC effects give rise to dielectric relaxations in low-frequency and radiofrequency regions, respectively.

Název v anglickém jazyce

Wide range dielectric and infrared spectroscopy of (Nb plus In) co-doped rutile ceramics

Popis výsledku anglicky

It is argued that the colossal dielectric permittivity reported by Hu et al. [Hu et al., Nat.Mater. 12, 821(2013)]has the same explanation as in the original colossal permittivity material CaCu3TiO4O12(CCTO), namely, a combination of the internal barrier layer capacitor (IBLC) and the surface barrier layer capacitor (SBLC) effects. The IBLC effect is caused by a microstructure consisting of insulating grain boundaries (thickness ˷ 1 nm and conductivity of ˷ 10-6 S/cm) surrounding interior regions of bulk conductivity approximately equal to 10-1 S/cm. The SBLC effect is the result of a depletion layer adjacent to the contacts approximately 100 nm thick with conductivity of 5*10-7 S/cm. The SBLC and IBLC effects give rise to dielectric relaxations in low-frequency and radiofrequency regions, respectively.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review Materials

ISSN

2475-9953

e-ISSN

—

Svazek periodika

2

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000440417500006

EID výsledku v databázi Scopus

—