Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

TEMPERATURE DEPENDENCE OF LOW FREQUENCY NOISE IN TA2O5 FILMS

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU93448" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU93448 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    TEMPERATURE DEPENDENCE OF LOW FREQUENCY NOISE IN TA2O5 FILMS

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper has focused on analysis of noise measurement in Ta2O5 insulating films. Tan-talum pent-oxide thin films are used as dielectric layers for capacitors. Tantalum capacitors show high relative permittivity, low leakage current density and high reliability. The capacitor is here presented as a MIS structure where cathode is formed by manganese-dioxide (with semiconductor conductivity) and anode is formed by tantalum (with metal conductivity). Capacitor is operated in normal mode when the anode is positive and in reverse mode when the cathode is positive. The measurement set-up allows the low frequency noise and capacity measurements in the wide tem-perature range. The Ta2O5 films of the thickness about 28 nm were examined. The current noise spectral density was analyzed for the temperature range from 10 to 400 K. GR noise and 1/fa noise are observed in the low frequency region with exponent a varying between 1 and 1.5. From the measurement of sample capacity for different temperat

  • Název v anglickém jazyce

    TEMPERATURE DEPENDENCE OF LOW FREQUENCY NOISE IN TA2O5 FILMS

  • Popis výsledku anglicky

    The paper has focused on analysis of noise measurement in Ta2O5 insulating films. Tan-talum pent-oxide thin films are used as dielectric layers for capacitors. Tantalum capacitors show high relative permittivity, low leakage current density and high reliability. The capacitor is here presented as a MIS structure where cathode is formed by manganese-dioxide (with semiconductor conductivity) and anode is formed by tantalum (with metal conductivity). Capacitor is operated in normal mode when the anode is positive and in reverse mode when the cathode is positive. The measurement set-up allows the low frequency noise and capacity measurements in the wide tem-perature range. The Ta2O5 films of the thickness about 28 nm were examined. The current noise spectral density was analyzed for the temperature range from 10 to 400 K. GR noise and 1/fa noise are observed in the low frequency region with exponent a varying between 1 and 1.5. From the measurement of sample capacity for different temperat

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    PROCEEEDINGS OF THE 16TH CONFERENCE - STUDENT EEICT 2010

  • ISBN

    978-80-214-4079-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    351-355

  • Název nakladatele

    NOVPRESS s.r.o.

  • Místo vydání

    nam. Republiky 15 614 00 Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    28. 4. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku