Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00499514" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00499514 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.15407/spqeo21.03.249" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.15407/spqeo21.03.249</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.15407/spqeo21.03.249" target="_blank" >10.15407/spqeo21.03.249</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
Popis výsledku v původním jazyce
We present the experimental and theoretical results of analysis of the opticallyinduced cyclotron resonance measurements carried out using the charge carriers in silicon (Si) nanostructures at 9 GHz and 4 K. The obtained value of the transversal mass is higher than that reported for bulk Si. The prolongation of the transport time for photo-excited electrons and holes can be explained by the spatial separation of electrons and holes in the field of the p+-n junction as well as by reduction of the scattering process due to the presence of boron dipole centers.
Název v anglickém jazyce
Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
Popis výsledku anglicky
We present the experimental and theoretical results of analysis of the opticallyinduced cyclotron resonance measurements carried out using the charge carriers in silicon (Si) nanostructures at 9 GHz and 4 K. The obtained value of the transversal mass is higher than that reported for bulk Si. The prolongation of the transport time for photo-excited electrons and holes can be explained by the spatial separation of electrons and holes in the field of the p+-n junction as well as by reduction of the scattering process due to the presence of boron dipole centers.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
SEMICONDUCTOR PHYSICS QUANTUM ELECTRONICS & OPTOELECTRONICS
ISSN
1560-8034
e-ISSN
—
Svazek periodika
21
Číslo periodika v rámci svazku
3
Stát vydavatele periodika
UA - Ukrajina
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
249-255
Kód UT WoS článku
000451726000004
EID výsledku v databázi Scopus
—