Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Electric-field-tuned topological phase transition in ultrathin Na3Bi

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00511237" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00511237 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1038/s41586-018-0788-5" target="_blank" >https://doi.org/10.1038/s41586-018-0788-5</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1038/s41586-018-0788-5" target="_blank" >10.1038/s41586-018-0788-5</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Electric-field-tuned topological phase transition in ultrathin Na3Bi

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The electric-field-induced quantum phase transition from topological to conventional insulator has been proposed as the basis of a topological field effect transistor 1–4 . In this scheme, ‘on’ is the ballistic flow of charge and spin along dissipationless edges of a two-dimensional quantum spin Hall insulator 5–9 , and ‘off ’ is produced by applying an electric field that converts the exotic insulator to a conventional insulator with no conductive channels. Such a topological transistor is promising for low-energy logic circuits 4 , which would necessitate electric-field-switched materials with conventional and topological bandgaps much greater than the thermal energy at room temperature, substantially greater than proposed so far.n

  • Název v anglickém jazyce

    Electric-field-tuned topological phase transition in ultrathin Na3Bi

  • Popis výsledku anglicky

    The electric-field-induced quantum phase transition from topological to conventional insulator has been proposed as the basis of a topological field effect transistor 1–4 . In this scheme, ‘on’ is the ballistic flow of charge and spin along dissipationless edges of a two-dimensional quantum spin Hall insulator 5–9 , and ‘off ’ is produced by applying an electric field that converts the exotic insulator to a conventional insulator with no conductive channels. Such a topological transistor is promising for low-energy logic circuits 4 , which would necessitate electric-field-switched materials with conventional and topological bandgaps much greater than the thermal energy at room temperature, substantially greater than proposed so far.n

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nature

  • ISSN

    0028-0836

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    564

  • Číslo periodika v rámci svazku

    7736

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    390-394

  • Kód UT WoS článku

    000453834900056

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85058870728