Electric-field-tuned topological phase transition in ultrathin Na3Bi
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00511237" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00511237 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1038/s41586-018-0788-5" target="_blank" >https://doi.org/10.1038/s41586-018-0788-5</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1038/s41586-018-0788-5" target="_blank" >10.1038/s41586-018-0788-5</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electric-field-tuned topological phase transition in ultrathin Na3Bi
Popis výsledku v původním jazyce
The electric-field-induced quantum phase transition from topological to conventional insulator has been proposed as the basis of a topological field effect transistor 1–4 . In this scheme, ‘on’ is the ballistic flow of charge and spin along dissipationless edges of a two-dimensional quantum spin Hall insulator 5–9 , and ‘off ’ is produced by applying an electric field that converts the exotic insulator to a conventional insulator with no conductive channels. Such a topological transistor is promising for low-energy logic circuits 4 , which would necessitate electric-field-switched materials with conventional and topological bandgaps much greater than the thermal energy at room temperature, substantially greater than proposed so far.n
Název v anglickém jazyce
Electric-field-tuned topological phase transition in ultrathin Na3Bi
Popis výsledku anglicky
The electric-field-induced quantum phase transition from topological to conventional insulator has been proposed as the basis of a topological field effect transistor 1–4 . In this scheme, ‘on’ is the ballistic flow of charge and spin along dissipationless edges of a two-dimensional quantum spin Hall insulator 5–9 , and ‘off ’ is produced by applying an electric field that converts the exotic insulator to a conventional insulator with no conductive channels. Such a topological transistor is promising for low-energy logic circuits 4 , which would necessitate electric-field-switched materials with conventional and topological bandgaps much greater than the thermal energy at room temperature, substantially greater than proposed so far.n
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nature
ISSN
0028-0836
e-ISSN
—
Svazek periodika
564
Číslo periodika v rámci svazku
7736
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
390-394
Kód UT WoS článku
000453834900056
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85058870728