In-situ impedance spectroscopy of a plasma-semiconductor thin film system during reactive sputter deposition

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00512097" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00512097 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216208:11320/19:10405930

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1063/1.5102163" target="_blank" >https://doi.org/10.1063/1.5102163</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5102163" target="_blank" >10.1063/1.5102163</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

In-situ impedance spectroscopy of a plasma-semiconductor thin film system during reactive sputter deposition

Popis výsledku v původním jazyce

We present a comparatively simple-to-apply in situ diagnostic suitable for determining the dielectric properties of nonconducting and semiconducting thin films during plasma-aided deposition. The method is based on measurement of the impedance spectrum of a system plasma-film within the kilohertz range of frequencies, i.e., without the need of special equipment. Total film capacitance, resistance, and the loss factor tan δ can be estimated in situ from the measured impedance spectra.n

Název v anglickém jazyce

In-situ impedance spectroscopy of a plasma-semiconductor thin film system during reactive sputter deposition

Popis výsledku anglicky

We present a comparatively simple-to-apply in situ diagnostic suitable for determining the dielectric properties of nonconducting and semiconducting thin films during plasma-aided deposition. The method is based on measurement of the impedance spectrum of a system plasma-film within the kilohertz range of frequencies, i.e., without the need of special equipment. Total film capacitance, resistance, and the loss factor tan δ can be estimated in situ from the measured impedance spectra.n

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

126

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

12

Strana od-do

1-12

Kód UT WoS článku

000487020900005

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85068884362