Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Co3O4 thin films prepared by hollow cathode discharge

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00520354" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00520354 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/61388955:_____/19:00520354

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2019.03.010" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2019.03.010</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2019.03.010" target="_blank" >10.1016/j.surfcoat.2019.03.010</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Co3O4 thin films prepared by hollow cathode discharge

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Semiconducting crystalline Co3O4 thin films were deposited on glass, stainless steel and Si substrates using three different PVD methods: (i) RF magnetron sputtering, (ii) high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS), and (iii) hollow cathode discharge (HCD). All layers were sputtered from pure cobalt target (or nozzle) in reactive atmosphere and post-annealed on air. Properties of deposited layers have been studied and discussed with respect to their potential applications. The surface morphology of the films was analyzed by SEM, their crystalline structure by XRD and Raman spectroscopy, chemical composition by EDS, electrical properties by Van der Pauw method and the specific surface area was measured by standard BET analysis. The layers prepared by the hollow cathode discharge compared to the magnetron-prepared films exhibited higher porosity, higher resistivity, higher activation energy, and higher deposition rate during the sputtering process.

  • Název v anglickém jazyce

    Co3O4 thin films prepared by hollow cathode discharge

  • Popis výsledku anglicky

    Semiconducting crystalline Co3O4 thin films were deposited on glass, stainless steel and Si substrates using three different PVD methods: (i) RF magnetron sputtering, (ii) high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS), and (iii) hollow cathode discharge (HCD). All layers were sputtered from pure cobalt target (or nozzle) in reactive atmosphere and post-annealed on air. Properties of deposited layers have been studied and discussed with respect to their potential applications. The surface morphology of the films was analyzed by SEM, their crystalline structure by XRD and Raman spectroscopy, chemical composition by EDS, electrical properties by Van der Pauw method and the specific surface area was measured by standard BET analysis. The layers prepared by the hollow cathode discharge compared to the magnetron-prepared films exhibited higher porosity, higher resistivity, higher activation energy, and higher deposition rate during the sputtering process.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Surface and Coatings Technology

  • ISSN

    0257-8972

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    366

  • Číslo periodika v rámci svazku

    May

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    303-310

  • Kód UT WoS článku

    000465366400035

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85063460840