Optimized InGaN-diode pumping of Ti:sapphire crystals
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00521351" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00521351 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1364/ome.9.002131" target="_blank" >https://doi.org/10.1364/ome.9.002131</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1364/OME.9.002131" target="_blank" >10.1364/OME.9.002131</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Optimized InGaN-diode pumping of Ti:sapphire crystals
Popis výsledku v původním jazyce
The development of higher-power InGaN-based diode lasers facilitates their application to optical pumping of Ti:sapphire lasers. Recent diode-pumping results highlight some unexpected behavior, specifically with 450-nm-wavelength devices. To better understand this we have measured and characterized, over a wide range of doping levels, the absorption properties of Ti:sapphire crystals. We find significant changes in the spectral shape of the pumping band in Ti:sapphire with increased doping, and explain the results in terms of absorption due to pairs of Ti3+ ions. Our subsequent discussion attempts to explain prior data, and also provides guidance on optimizing designs for InGaN-diode-pumped Ti:sapphire lasers.n
Název v anglickém jazyce
Optimized InGaN-diode pumping of Ti:sapphire crystals
Popis výsledku anglicky
The development of higher-power InGaN-based diode lasers facilitates their application to optical pumping of Ti:sapphire lasers. Recent diode-pumping results highlight some unexpected behavior, specifically with 450-nm-wavelength devices. To better understand this we have measured and characterized, over a wide range of doping levels, the absorption properties of Ti:sapphire crystals. We find significant changes in the spectral shape of the pumping band in Ti:sapphire with increased doping, and explain the results in terms of absorption due to pairs of Ti3+ ions. Our subsequent discussion attempts to explain prior data, and also provides guidance on optimizing designs for InGaN-diode-pumped Ti:sapphire lasers.n
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Optical Materials Express
ISSN
2159-3930
e-ISSN
—
Svazek periodika
9
Číslo periodika v rámci svazku
5
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
16
Strana od-do
2131-2146
Kód UT WoS článku
000466477000014
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85065833435