Vše
Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Optimized InGaN-diode pumping of Ti:sapphire crystals

Popis výsledku

Klíčová slova

InGaN diodeTi:sapphirelaser

Identifikátory výsledku

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Optimized InGaN-diode pumping of Ti:sapphire crystals

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The development of higher-power InGaN-based diode lasers facilitates their application to optical pumping of Ti:sapphire lasers. Recent diode-pumping results highlight some unexpected behavior, specifically with 450-nm-wavelength devices. To better understand this we have measured and characterized, over a wide range of doping levels, the absorption properties of Ti:sapphire crystals. We find significant changes in the spectral shape of the pumping band in Ti:sapphire with increased doping, and explain the results in terms of absorption due to pairs of Ti3+ ions. Our subsequent discussion attempts to explain prior data, and also provides guidance on optimizing designs for InGaN-diode-pumped Ti:sapphire lasers.n

  • Název v anglickém jazyce

    Optimized InGaN-diode pumping of Ti:sapphire crystals

  • Popis výsledku anglicky

    The development of higher-power InGaN-based diode lasers facilitates their application to optical pumping of Ti:sapphire lasers. Recent diode-pumping results highlight some unexpected behavior, specifically with 450-nm-wavelength devices. To better understand this we have measured and characterized, over a wide range of doping levels, the absorption properties of Ti:sapphire crystals. We find significant changes in the spectral shape of the pumping band in Ti:sapphire with increased doping, and explain the results in terms of absorption due to pairs of Ti3+ ions. Our subsequent discussion attempts to explain prior data, and also provides guidance on optimizing designs for InGaN-diode-pumped Ti:sapphire lasers.n

Klasifikace

  • Druh

    Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Optical Materials Express

  • ISSN

    2159-3930

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    9

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    16

  • Strana od-do

    2131-2146

  • Kód UT WoS článku

    000466477000014

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85065833435

Základní informace

Druh výsledku

Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

Jimp

OECD FORD

Optics (including laser optics and quantum optics)

Rok uplatnění

2019