Power-scaling of Pr:YAlO3 Microchip Laser Operating at 747 nm Wavelength at Room Temperature

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F14%3A00219643" target="_blank" >RIV/68407700:21340/14:00219643 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1612-2011/11/10/105802" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1612-2011/11/10/105802</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1612-2011/11/10/105802" target="_blank" >10.1088/1612-2011/11/10/105802</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Power-scaling of Pr:YAlO3 Microchip Laser Operating at 747 nm Wavelength at Room Temperature

Popis výsledku v původním jazyce

We report efficient continuous wave laser operation of a laser diode both-side pumped Pr:YAlO3 crystal at room temperature in a microchip geometry arrangement. The microchip was formed by a 5 mm long 0.6 at.% doped Pr:YAlO3 crystal having dielectric mirrors directly deposited on its facets. As pump sources, two InGaN laser diodes with maximum output power of 1 W each were used. 490 mW of output power at 747 nm with an oscillation threshold of about 300 mW has been demonstrated. The corresponding slope efficiency related to the absorbed pump power was 45%.

Název v anglickém jazyce

Power-scaling of Pr:YAlO3 Microchip Laser Operating at 747 nm Wavelength at Room Temperature

Popis výsledku anglicky

We report efficient continuous wave laser operation of a laser diode both-side pumped Pr:YAlO3 crystal at room temperature in a microchip geometry arrangement. The microchip was formed by a 5 mm long 0.6 at.% doped Pr:YAlO3 crystal having dielectric mirrors directly deposited on its facets. As pump sources, two InGaN laser diodes with maximum output power of 1 W each were used. 490 mW of output power at 747 nm with an oscillation threshold of about 300 mW has been demonstrated. The corresponding slope efficiency related to the absorbed pump power was 45%.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GPP102%2F12%2FP505" target="_blank" >GPP102/12/P505: Diodově čerpané laserové systémy s aktivním iontem Praseodymu</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Laser Physics Letters

ISSN

1612-2011

e-ISSN

—

Svazek periodika

11

Číslo periodika v rámci svazku

10

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

"105802-1"-"105802-3"

Kód UT WoS článku

000346556100008

EID výsledku v databázi Scopus

—