Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Towards a germanium and silicon laser: the history and the present

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00521385" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00521385 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://hdl.handle.net/11104/0306016" target="_blank" >http://hdl.handle.net/11104/0306016</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.3390/cryst9120624" target="_blank" >10.3390/cryst9120624</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Towards a germanium and silicon laser: the history and the present

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Various theoretical as well as empirical considerations about how to achieve lasing between the conduction and valence bands in indirect band gap semiconductors (germanium and silicon) are reviewed, starting from the dawn of the laser epoch in the beginning of the sixties. While in Ge the room-temperature lasing under electrical pumping has recently been achieved, in Si this objective remains still illusory. The necessity of applying a slightly different approach in Si as opposed to Ge is stressed. Recent advances in the field are discussed, based in particular on light-emitting Si quantum dots.

  • Název v anglickém jazyce

    Towards a germanium and silicon laser: the history and the present

  • Popis výsledku anglicky

    Various theoretical as well as empirical considerations about how to achieve lasing between the conduction and valence bands in indirect band gap semiconductors (germanium and silicon) are reviewed, starting from the dawn of the laser epoch in the beginning of the sixties. While in Ge the room-temperature lasing under electrical pumping has recently been achieved, in Si this objective remains still illusory. The necessity of applying a slightly different approach in Si as opposed to Ge is stressed. Recent advances in the field are discussed, based in particular on light-emitting Si quantum dots.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Crystals

  • ISSN

    2073-4352

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    9

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    19

  • Strana od-do

    1-19

  • Kód UT WoS článku

    000506676000019

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85075900010