A CMOS-compatible morphotropic phase boundary
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00556467" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00556467 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac1716" target="_blank" >https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac1716</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac1716" target="_blank" >10.1088/1361-6528/ac1716</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
A CMOS-compatible morphotropic phase boundary
Popis výsledku v původním jazyce
Morphotropic phase boundaries (MPBs) show substantial piezoelectric and dielectric responses, which have practical applications. The predicted existence of MPB in HfO2–ZrO2 solid solution thin film has provided a new way to increase the dielectric properties of a silicon-compatible device. Here, we present a new fabrication design by which the density of MPB rMPB and consequently the dielectric constant òr of HfO2–ZrO2 thin film was considerably increased. The rMPB was controlled by fabrication of a 10 nm [1 nm Hf0.5Zr0.5O2 (ferroelectric)/1 nm ZrO2 (antiferroelectric)] nanolaminate followed by an appropriate annealing process.
Název v anglickém jazyce
A CMOS-compatible morphotropic phase boundary
Popis výsledku anglicky
Morphotropic phase boundaries (MPBs) show substantial piezoelectric and dielectric responses, which have practical applications. The predicted existence of MPB in HfO2–ZrO2 solid solution thin film has provided a new way to increase the dielectric properties of a silicon-compatible device. Here, we present a new fabrication design by which the density of MPB rMPB and consequently the dielectric constant òr of HfO2–ZrO2 thin film was considerably increased. The rMPB was controlled by fabrication of a 10 nm [1 nm Hf0.5Zr0.5O2 (ferroelectric)/1 nm ZrO2 (antiferroelectric)] nanolaminate followed by an appropriate annealing process.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nanotechnology
ISSN
0957-4484
e-ISSN
1361-6528
Svazek periodika
32
Číslo periodika v rámci svazku
44
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
445706
Kód UT WoS článku
000684700100001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85113712394