High deposition rate films prepared by reactive HiPIMS
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00567523" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00567523 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/45309787:_____/21:N0000001 RIV/49777513:23520/21:43962009
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110329" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110329</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110329" target="_blank" >10.1016/j.vacuum.2021.110329</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High deposition rate films prepared by reactive HiPIMS
Popis výsledku v původním jazyce
High power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) is characterized by a very high current density at the target during each pulse. A large fraction of sputtered target material is ionized, which allows the preparation of hard and defect-free coatings. Compared to the conventional sputtering methods, HiPIMS technology possesses a certain drawback, i.e. lower deposition rate. A promising variation, i.e. reactive HiPIMS, was described by a mathematical model (S. Kadlec et al. JAP 121 (2017) 171910). One of the fundamental results shows that reactive HiPIMS can deliver higher deposition rates compared to the mid-frequency pulsed dc magnetron sputtering (Mf-PCDMS) due to a lower degree of target poisoning. To confirm these theoretical results, series of experiments were performed in laboratory deposition system with different target materials (Al, Cr, Ti, Zr, Hf, Ta, Nb). We supported our experimental results by Monte-Carlo simulations performed in SRIM and SDTrimSP simulation software.
Název v anglickém jazyce
High deposition rate films prepared by reactive HiPIMS
Popis výsledku anglicky
High power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) is characterized by a very high current density at the target during each pulse. A large fraction of sputtered target material is ionized, which allows the preparation of hard and defect-free coatings. Compared to the conventional sputtering methods, HiPIMS technology possesses a certain drawback, i.e. lower deposition rate. A promising variation, i.e. reactive HiPIMS, was described by a mathematical model (S. Kadlec et al. JAP 121 (2017) 171910). One of the fundamental results shows that reactive HiPIMS can deliver higher deposition rates compared to the mid-frequency pulsed dc magnetron sputtering (Mf-PCDMS) due to a lower degree of target poisoning. To confirm these theoretical results, series of experiments were performed in laboratory deposition system with different target materials (Al, Cr, Ti, Zr, Hf, Ta, Nb). We supported our experimental results by Monte-Carlo simulations performed in SRIM and SDTrimSP simulation software.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20506 - Coating and films
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Vacuum
ISSN
0042-207X
e-ISSN
1879-2715
Svazek periodika
191
Číslo periodika v rámci svazku
Sep
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
110329
Kód UT WoS článku
000679319300003
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85107435174