Effect of pulsed methane gas flow on the incorporation of phosphorous in diamond
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00556046" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00556046 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/26722445:_____/22:N0000036 RIV/68407700:21230/22:00356611 RIV/68407700:21460/22:00356611
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108928" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108928</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108928" target="_blank" >10.1016/j.diamond.2022.108928</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of pulsed methane gas flow on the incorporation of phosphorous in diamond
Popis výsledku v původním jazyce
The synthesis of n-type phosphorus-doped diamond is essential for the development of diamond-based bipolar devices. Although demonstrated 20 years ago, it remains a complex problem due to low incorporation efficiency and low maximum concentrations. Previous works showed the deleterious influence of methinophosphide formation in a methane/hydrogen/phosphine plasma on the growth of phosphorous doped diamond using the chemical vapor deposition method. In this work, we investigate the effect of pulsing methane during microwave plasma enhanced chemical vapor deposition to avoid the formation of HCP and to increase phosphorus incorporation efficiency and maximum concentration in diamond.
Název v anglickém jazyce
Effect of pulsed methane gas flow on the incorporation of phosphorous in diamond
Popis výsledku anglicky
The synthesis of n-type phosphorus-doped diamond is essential for the development of diamond-based bipolar devices. Although demonstrated 20 years ago, it remains a complex problem due to low incorporation efficiency and low maximum concentrations. Previous works showed the deleterious influence of methinophosphide formation in a methane/hydrogen/phosphine plasma on the growth of phosphorous doped diamond using the chemical vapor deposition method. In this work, we investigate the effect of pulsing methane during microwave plasma enhanced chemical vapor deposition to avoid the formation of HCP and to increase phosphorus incorporation efficiency and maximum concentration in diamond.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Diamond and Related Materials
ISSN
0925-9635
e-ISSN
1879-0062
Svazek periodika
124
Číslo periodika v rámci svazku
April
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
108928
Kód UT WoS článku
000790632900003
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85124897543